[发明专利]用于制造三维薄膜太阳能电池的模板及使用方法无效

专利信息
申请号: 200780045506.2 申请日: 2007-10-07
公开(公告)号: CN101553921A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 梅尔达德·莫斯莱 申请(专利权)人: 速力斯公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L35/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 三维 薄膜 太阳能电池 模板 使用方法
【权利要求书】:

1、一种用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,包括:

模板基板,所述模板基板包括:

多个柱;和

在所述多个柱之间的多个沟槽,

其中所述模板形成了三维薄膜太阳能电池基板的形成环境。

2、根据权利要求1所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中所述模板形成了通过多次重复形成三维薄膜太阳能电池基板来形成三维薄膜太阳能电池基板的形成环境,而不需要在每次重复之前对所述模板进行实质的修复。

3、根据权利要求1所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中所述模板基板包括半导体基板。

4、根据权利要求3所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中所述半导体基板包括硅基板。

5、根据权利要求1所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中所述多个柱包括多个棱柱状的柱。

6、根据权利要求5所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中所述多个棱柱状的柱包括多个六角棱柱的柱。

7、根据权利要求5所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中所述多个棱柱状的柱包括多个多边形棱柱的柱。

8、根据权利要求1所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中所述多个柱包括多个锥形的柱。

9、根据权利要求1所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中所述多个柱包括多个接近垂直的柱。

10、根据权利要求1所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中在所述多个柱之间的所述多个沟槽包括多个晶片内沟槽。

11、根据权利要求1所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中在所述多个柱之间的所述多个沟槽包括多个贯穿晶片沟槽。

12、根据权利要求1所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中在所述多个柱之间的所述多个沟槽包括在较窄且较深的沟槽上部的多个较宽的沟槽。

13、根据权利要求1所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板,其中在所述多个柱之间的所述多个沟槽还包括提供蚀刻剂通道的多个沟道。

14、一种用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,该方法包括:

从半导体基板的选择区域移除半导体材料以形成多个柱和多个沟槽,

其中所述模板形成三维薄膜太阳能电池基板的形成环境。

15、根据权利要求14所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,其中从半导体基板的选择区域移除半导体材料以形成多个柱和多个沟槽的所述步骤包括:

光刻图案化以在所述半导体基板上产生设计;并且

采用蚀刻工艺将所述设计转移到所述半导体基板上。

16、根据权利要求15所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,其中所述蚀刻工艺包括深反应离子蚀刻工艺。

17、根据权利要求15所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,其中所述设计包括棱柱状的设计。

18、根据权利要求17所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,其中所述棱柱状的设计包括六角棱柱设计。

19、根据权利要求17所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,其中所述棱柱状的设计包括多边形棱柱的设计。

20、根据权利要求14所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,其中从半导体基板的选择区域移除半导体材料以形成多个柱和多个沟槽的所述步骤包括激光微加工以在所述半导体基板上产生设计。

21、根据权利要求20所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,其中所述设计包括棱柱状的设计。

22、根据权利要求21所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,其中所述棱柱状的设计包括六角棱柱设计。

23、根据权利要求21所述的用于形成三维薄膜太阳能电池基板的模板的制造方法,其中所述棱柱状的设计包括多边形棱柱的设计。

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