[发明专利]线栅型偏振片及其制造方法、和使用其的相位差膜及液晶显示元件无效

专利信息
申请号: 200780044893.8 申请日: 2007-11-14
公开(公告)号: CN101548206A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 西村涼;须崎吾郎 申请(专利权)人: 新日本石油株式会社
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02F1/1335
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 龙 淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 线栅型 偏振 及其 制造 方法 使用 相位差 液晶显示 元件
【权利要求书】:

1.一种线栅型偏振片的制造方法,其特征在于,包括以下工序:

制备树脂膜的工序,所述树脂膜形成有具有亚微米大小的光栅形状的凹部,并且可见光透射率为80%以上;

将导电性纳米材料填充于所述凹部的工序,所述导电性纳米材料的平均直径为所述凹部的平均线宽的1/2以下;以及

除去没有填充于所述凹部的导电性纳米材料的工序。

2.如权利要求1所述的线栅型偏振片的制造方法,其特征在于,

所述导电性纳米材料的复折射率中虚数部的绝对值大于0.1。

3.如权利要求1所述的线栅型偏振片的制造方法,其特征在于,

所述树脂膜形成有凹部,所述凹部具有光栅周期为400nm以下、线宽为200nm以下的光栅形状。

4.一种线栅型偏振片,其特征在于,具备:

树脂膜,所述树脂膜形成有具有亚微米大小的光栅形状的凹部,并且可见光透射率为80%以上;以及

填充于所述凹部的导电性纳米材料或其凝集体。

5.如权利要求4所述的线栅型偏振片,其特征在于,

所述导电性纳米材料的复折射率中虚数部的绝对值大于0.1。

6.如权利要求4所述的线栅型偏振片,其特征在于,

所述树脂膜形成有凹部,所述凹部具有光栅周期为400nm以下、线宽为200nm以下的光栅形状。

7.一种相位差膜,其特征在于,具备权利要求4所述的线栅型偏振片。

8.一种液晶显示元件,其特征在于,具备权利要求7所述的相位差膜。

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