[发明专利]低蚀刻性光刻胶清洗剂无效

专利信息
申请号: 200780044674.X 申请日: 2007-12-10
公开(公告)号: CN101548241A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 刘兵;彭洪修;史永涛 申请(专利权)人: 安集微电子(上海)有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42;H01L21/02;C23G1/06;C11D1/83
代理公司: 上海翰鸿律师事务所 代理人: 李佳铭
地址: 201203中国上海市浦东新区张江高*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 光刻 洗剂
【权利要求书】:

1.一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂,其特征在于含有:水、季铵氢氧化物, 烷基二醇芳基醚或其衍生物,和如式I所示的苯乙酮或其衍生物;

式I

其中,R5和R6为H、羟基、C1~C2的烷基、C1~C2的烷氧基或C1~C2的羟 烷基,其中:所述的烷基二醇芳基醚或其衍生物为乙二醇单苯基醚、丙二 醇单苯基醚、异丙二醇单苯基醚、二乙二醇单苯基醚、二丙二醇单苯基醚、 二异丙二醇单苯基醚、乙二醇单苄基醚、丙二醇单苄基醚、乙二醇二苯基 醚、丙二醇二苯基醚、异丙二醇二苯基醚、二乙二醇二苯基醚、二丙二醇 二苯基醚、二异丙二醇二苯基醚、乙二醇二苄基醚或丙二醇二苄基醚,其 中,所述的水的含量为小于或等于质量百分比20%。

2.如权利要求1所述的清洗剂,其特征在于:所述的季铵氢氧化物选自下 列中的一个或多个:四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化 铵、四丁基氢氧化铵、三甲基乙基氢氧化铵和三甲基苯基氢氧化铵。

3.如权利要求1所述的清洗剂,其特征在于:所述的季铵氢氧化物的含量 为质量百分比0.1~10%。

4.如权利要求3所述的清洗剂,其特征在于:所述的含量为质量百分比 0.1~5%。

5.如权利要求1所述的清洗剂,其特征在于:所述的烷基二醇芳基醚或其 衍生物的含量为质量百分比0.1~99.8%。

6.如权利要求1所述的清洗剂,其特征在于:所述的苯乙酮或其衍生物为 苯乙酮、对甲基苯乙酮、对羟基苯乙酮或对甲氧基苯乙酮。

7.如权利要求1所述的清洗剂,其特征在于:所述的苯乙酮或其衍生物的 含量为质量百分比0.1~95%。

8.如权利要求1所述的清洗剂,其特征在于:所述的清洗剂还含有共溶剂、 表面活性剂和缓蚀剂中的一种或几种。

9.如权利要求1所述的清洗剂,其特征在于:所述的水的含量为小于或等 于质量百分比10%。

10.如权利要求8所述的清洗剂,其特征在于:所述的共溶剂为醇、亚砜、 砜、酰胺、吡咯烷酮、咪唑烷酮、烷基二醇单烷基醚、烷基酮或环烷基 酮。

11.如权利要求8所述的清洗剂,其特征在于:所述的共溶剂的含量为小于 或等于质量百分比99.7%。

12.如权利要求10所述的清洗剂,其特征在于:所述的醇为丙醇、异丙醇、 丁醇或环己醇。

13.如权利要求10所述的清洗剂,其特征在于:所述的亚砜为二甲基亚砜、 二乙基亚砜或甲乙基亚砜。

14.如权利要求10所述的清洗剂,其特征在于:所述的砜为环丁砜。

15.如权利要求10所述的清洗剂,其特征在于:所述的酰胺为甲酰胺、乙酰 胺、N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺。

16.如权利要求10所述的清洗剂,其特征在于:所述的吡咯烷酮为2-吡咯烷 酮、N-甲基吡咯烷酮或N-乙基吡咯烷酮。

17.如权利要求10所述的清洗剂,其特征在于:所述的咪唑烷酮为2-咪唑烷 酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮或1,3-二乙基-2-咪唑烷酮。

18.如权利要求10所述的清洗剂,其特征在于:所述的烷基二醇单烷基醚为 乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙 二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、丙 二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二 醇单乙醚、二丙二醇单丁醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单乙醚或三丙 二醇单丁醚。

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