[发明专利]电子器件模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200780044566.2 申请日: 2007-01-10
公开(公告)号: CN101548379A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 理查德·马茨;露特·门纳;斯特芬·沃尔特 申请(专利权)人: 奥斯兰姆有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 陈 炜;许伟群
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 电子器件 模块 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子器件模块,其具有至少一个陶瓷电路支承体(2,3)和带有至少一个冷却体(4)的冷却装置,其特征在于,

在陶瓷电路支承体(2,3)和冷却装置(4)之间构建有复合区(5,7;6,8)用于将电路支承体(2,3)与冷却装置(4)相连,该复合区(5,7;6,8)包括共晶区域(7,8)和至少部分由金属构建的复合层(5,6)。

2.根据权利要求1所述的电子器件模块,其特征在于,共晶区域(7,8)设置在复合层(5,6)与金属冷却装置(4)之间。

3.根据权利要求1所述的电子器件模块,其特征在于,复合区(5,7;6,8)整面地构建在电路支承体(2,3)与冷却装置(4)之间。

4.根据权利要求2所述的电子器件模块,其特征在于,复合区(5,7;6,8)整面地构建在电路支承体(2,3)与冷却装置(4)之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件模块,其特征在于,在将电路支承体的单个层与冷却装置连接在一起之前,金属复合层(5,6)作为金属膏至少局部地施加在电路支承体(2,3)上。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件模块,其特征在于,电路支承体构建为陶瓷的低温共烧陶瓷电路支承体(2,3)。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件模块,其特征在于,电路支承体构建为陶瓷的低温共烧陶瓷电路支承体(2,3),并且在用于连接陶瓷电路支承体(2,3)的单个层的低温共烧陶瓷工艺中能够产生共晶区域(7,8)用于与冷却装置(4)反应性地产生复合结构。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件模块,其特征在于,冷却装置(4)至少在一侧横向地延伸超出电路支承体(2,3)的范围。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件模块,其特征在于,在电路支承体(2,3)、复合区(5,7;6,8)和冷却装置(4)之间的复合结构通过在840℃到930℃之间的温度的烧结工艺来构建。

10.根据权利要求9所述的电子器件模块,其特征在于,在电路支承体(2,3)、复合区(5,7;6,8)和冷却装置(4)之间的复合结构通过在900℃的温度的烧结工艺来构建。

11.一种用于制造电子器件模块(1)的方法,其中构建有至少一个多层陶瓷电路支承体(2,3),并且该电路支承体与带有至少一个冷却体(4)的冷却装置相连,其特征在于,

电路支承体(2,3)和冷却装置(4)通过复合区(5,7;6,8)相连,该复合区(5,7;6,8)通过共晶区域(7,8)和用于与陶瓷金属材料相连的并且至少部分由金属构建的复合层(5,6)来构建。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在用于连接电路支承体(2,3)的单个层的工艺之前,将含金属的膏设置到电路支承体(2,3)和/或冷却装置(4)上,并且由此在用于连接电路支承体(2,3)的单个层的工艺中构建金属复合层(5,6)。

13.根据权利要求11或者12所述的方法,其特征在于,共晶区域(7,8)构建在金属复合层(5,6)与冷却装置(4)之间。

14.根据权利要求11或者12所述的方法,其特征在于,在连接期间在电路支承体(2,3)、复合层(5,6)和冷却装置(4)之间构建有共晶区域(7,8)。

15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,共晶区域(7,8)通过借助低于如下工艺温度的熔化温度进行材料结合来构建:在所述工艺温度下电路支承体(2,3)、复合层(5,6)和冷却装置(4)彼此连接。

16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,电路支承体(2,3)、复合层(5,6)和冷却装置(4)通过在840℃到930℃之间的温度的烧结工艺来连接。

17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,电路支承体(2,3)、复合层(5,6)和冷却装置(4)通过在900℃的温度的烧结工艺来连接。

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