[发明专利]半导体器件的制造装置及制造方法、以及利用该制造方法制造的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造装置，包括处理室、第一电极及第二电极以及掩模部，该处理室用来对沿长度方向排列而配置多个有效区域且以所述各个有效区域为单位被进行间歇运送的可弯性基板的至少一部分进行收纳，该第一电极及该第二电极设置为在所述处理室的内部相向，该掩模部设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并以当所述可弯性基板的各个有效区域通过间歇运送送到所述第一电极与所述第二电极之间时使该有效区域露出的方式开口，所述半导体器件的制造装置通过经由所述掩模部的开口部分对所述可弯性基板的各个有效区域进行利用在所述第一电极与所述第二电极之间产生的等离子体的等离子体处理，来制造半导体器件，其特征在于：

所述处理室包括等离子体处理部、第一待机部及第二待机部，该等离子体处理部用来对从所述掩模部的开口部分露出的所述可弯性基板的有效区域进行所述等离子体处理，该第一待机部与所述掩模部重叠而设置在比该等离子体处理部还靠近导入一侧的位置上，并在该第一待机部中配置有进行所述等离子体处理之前的所述可弯性基板的有效区域，该第二待机部与所述掩模部重叠而设置在比所述等离子体处理部还靠近送出一侧的位置上，并在该第二待机部中配置有进行所述等离子体处理之后的所述可弯性基板的有效区域，

所述处理室构成为：收纳所述可弯性基板的至少三个相邻的有效区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造装置，其特征在于：

在所述掩模部的内周端和外周端设有用来与所述可弯性基板的各个有效区域之间的部分接触而使所述第一及第二待机部从所述等离子体处理部隔开的突出壁。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造装置，其特征在于：

在所述可弯性基板的长度方向上连续地设置有多个所述处理室。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造装置，其特征在于：

在所述处理室中设有用来导入所述可弯性基板的导入部和用来将所述可弯性基板送出的送出部；

在所述导入部和所述送出部中分别设置有用来夹住所述可弯性基板的各个有效区域之间的部分对所述处理室进行密封的开闭门。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造装置，其特征在于：

在所述第一待机部中设置有用来对所述可弯性基板加热的加热器。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造装置，其特征在于：

所述处理室构成为：通过等离子体化学气相沉积进行薄膜形成处理。

7.一种半导体器件的制造方法，包括运送步骤和等离子体处理步骤，在该运送步骤中，将沿长度方向排列而配置多个有效区域的可弯性基板以该各个有效区域为单位至少在处理室的内部进行间歇运送，在该等离子体处理步骤中，在所述处理室的内部对通过所述运送步骤被进行了间歇运送的所述可弯性基板的各个有效区域进行等离子体处理，其特征在于：

在所述等离子体处理步骤中，在所述处理室的内部收纳有所述可弯性基板的至少三个相邻的有效区域，对该收纳的至少三个有效区域中位于内侧的一个有效区域进行等离子体处理。

8.一种半导体器件，其特征在于：

该半导体器件是利用权利要求7所述的半导体器件的制造方法制造的。