[发明专利]硼扩散源的使用方法及半导体的制造方法有效
| 申请号： | 200780044125.2 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101542687A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 西川正人;横田博 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 使用方法 半导体 制造 方法 | ||
1.一种硼扩散源的使用方法，其特征在于，在氧气浓度为 0.3～5体积％的非氧化性气体气氛下使用由复合烧结体构成的 硼扩散源，其中所述复合烧结体含有氧化铝Al2O3成分、氧化硅 SiO2成分以及氮化硼BN成分。
2.根据权利要求1所述的硼扩散源的使用方法，将前述非 氧化性气体以0.5～15L/分钟的比例供给到扩散炉中。
3.根据权利要求1所述的硼扩散源的使用方法，作为前述 硼扩散源，使用氧化铝Al2O3成分和氧化硅SiO2成分的合计含有 率为30～70质量％、氮化硼BN成分的含有率为30～70质量％并 且Al2O3/SiO2的摩尔比为1.0～2.4的复合烧结体。
4.根据权利要求2所述的硼扩散源的使用方法，作为前述 硼扩散源，使用氧化铝Al2O3成分和氧化硅SiO2成分的合计含有 率为30～70质量％、氮化硼BN成分的含有率为30～70质量％并 且Al2O3/SiO2的摩尔比为1.0～2.4的复合烧结体。
5.根据权利要求1～4任一项所述的硼扩散源的使用方法， 氧化铝Al2O3成分是γ-氧化铝或者α-氧化铝。
6.根据权利要求1～4任一项所述的硼扩散源的使用方法， 氧化硅SiO2成分是氧化硅粉末、气相二氧化硅或硼硅酸玻璃。
7.根据权利要求1～4任一项所述的硼扩散源的使用方法， 氮化硼BN成分是氮化硼粉末。
8.根据权利要求1～4任一项所述的硼扩散源的使用方法， 使用采用阿基米德法测得的开孔率为10％以上45％以下的硼扩 散源。
9.根据权利要求5所述的硼扩散源的使用方法，使用采用 阿基米德法测得的开孔率为10％以上45％以下的硼扩散源。
10.根据权利要求6所述的硼扩散源的使用方法，使用采用 阿基米德法测得的开孔率为10％以上45％以下的硼扩散源。
11.根据权利要求7所述的硼扩散源的使用方法，使用采用 阿基米德法测得的开孔率为10％以上45％以下的硼扩散源。
12.一种半导体的制造方法，其特征在于，将由复合烧结 体构成的硼扩散源和半导体晶片置于扩散炉内，在氧气浓度为 0.3～5体积％的非氧化性气体气氛下加热，其中所述复合烧结 体含有氧化铝Al2O3成分、氧化硅SiO2成分以及氮化硼BN成分， 氧化铝Al2O3成分和氧化硅SiO2成分的合计含有率为30～70质 量％，氮化硼BN成分的含有率为30～70质量％，并且Al2O3/ SiO2的摩尔比为1.0～2.4。
13.根据权利要求12所述的半导体的制造方法，将前述非 氧化性气体以0.5～15L/分钟的比例供给到扩散炉中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电气化学工业株式会社，未经电气化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780044125.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件和制造半导体器件的方法
- 下一篇：一种新型无电极紫外线灯
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
