[发明专利]固体摄像装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200780044124.8 | 申请日: | 2007-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN101558495A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
| 发明(设计)人: | 山本克己 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/335;H04N9/07 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 白 丽;陈建全 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像装置的制造方法,其具备:
在多个光电转换元件被二维地配置、且表面上具有与多个光电转换元 件相对应的矩形的受光面的基板上形成透明膜的工序;
在所述透明膜上的与所述受光面相对应的位置上形成具有有从中央部 向四方呈锐角突出的部分的绕线筒状或其变形形状的开口的抗蚀剂图案的 工序;
以所述抗蚀剂图案作为掩模,将所述透明膜进行干法蚀刻,从而形成 平坦化层的工序,该平坦化层具有在与所述受光面相对应的位置上形成的 大致矩形的多个凹曲面;以及,
在所述大致矩形的凹曲面上形成滤色器的工序,该滤色器包含具有比 所述平坦化层更大的折射率的多种颜色的着色层,并具有凸透镜的功能;
通过以所述有从中央部向四方呈锐角突出的部分的绕线筒状或其变形 形状的开口的抗蚀剂图案作为掩模进行干法蚀刻,蚀刻按照所述掩模的开 口部的形状进行,并且不只在纵向上进行、也在横向上进行,除去被所述 抗蚀剂图案覆盖的部分,由此大致矩形的多个凹曲面邻接地形成;
有所述变形形状的开口为下述变形形状一、变形形状二或变形形状三 的开口:变形形状一的开口设有从圆形的开口中央部向四方呈锐角突出的 部分,变形形状二的开口在变形形状一的开口上设有向上下左右呈钝角突 出的部分,变形形状三的开口在变形形状二的开口上设有向上下左右呈钝 角后退的部分。
2.根据权利要求1中记载的固体摄像装置的制造方法,其中,所述透 明膜由二氧化硅或丙烯酸系树脂构成。
3.根据权利要求1中记载的固体摄像装置的制造方法,其中,所述着 色层具有1.6~1.8的折射率。
4.根据权利要求1中记载的固体摄像装置的制造方法,其中,所述多 个凹曲面直接邻接地设置,所述多种颜色的着色层在其表面直接邻接地设 置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





