[发明专利]光电子半导体器件

权利要求书

1.一种光电子半导体器件，具有：基本体(1)、设置在该基本体上 的至少一个半导体芯片(3)和嵌有所述至少一个半导体芯片(3)的包封 物(6)，该包封物由具有散射颗粒的透射辐射的材料构成，其中具有吸收 剂的透射辐射的覆盖层(5)被施加到包封物(6)上，其中

-散射颗粒和吸收剂分离成两层，使得散射颗粒密度对覆盖层(5)的 吸收作用没有影响；并且

-基本体(1)具有在基本体的内表面(10)中的阶梯(8)或者波浪 形(9)，其中包封物(6)在基本体(1)的凹处中的填充高度以阶梯或者 波浪形(9)结束。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中基本体(1)由如 下材料制造：该材料对由所述至少一个半导体芯片(3)发射的辐射至少 部分是吸收性的。

3.根据权利要求1或者2所述的光电子半导体器件，其中在覆盖层 (5)中的吸收剂对从外部入射的外来光是吸收性的。

4.根据权利要求1或者2所述的光电子半导体器件，其中基本体(1) 通过引线框架(2)形成，该引线框架用塑料材料挤压包封，并且基本体 (1)在上侧具有凹处。

5.根据权利要求1或者2所述的光电子半导体器件，其中基本体(1) 通过衬底(7)形成。

6.根据权利要求1或者2所述的光电子半导体器件，其中覆盖层(5) 的材料由环氧树脂制成，并且具有炭黑作为吸收剂。

7.根据权利要求1或者2所述的光电子半导体器件，其中覆盖层(5) 的材料由硅树脂制成，并且具有炭黑作为吸收剂。

8.根据权利要求1或者2所述的光电子半导体器件，其中覆盖层(5) 的材料由硅树脂-环氧-混合物制成，并且具有炭黑作为吸收剂。

9.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中透射辐射的覆盖 层(5)构建为薄板，该薄板被粘合到包封物(6)上。

10.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中基本体(1)具 有所述阶梯(8)，并且被施加到包封物(6)上的覆盖层(5)的填充高度 以基本体(1)的表面结束。

11.根据权利要求10所述的光电子半导体器件，其中覆盖层(5)的 水平伸展比包封物(6)的在阶梯(8)上结束的水平面更大。

12.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中基本体(1)具 有所述波浪形(9)，并且被施加到包封物(6)上的覆盖层(5)的填充高 度以基本体(1)的表面结束。

13.根据权利要求12所述的光电子半导体器件，其中覆盖层(5)的 水平伸展比包封物(6)的在波浪形(9)上结束的水平面更大，并且在垂 直方向上，在覆盖层(5)的边缘区域中的填充高度的最低处在包封物(6) 之下。