[发明专利]光电器件及其制造方法有效
| 申请号: | 200780042291.9 | 申请日: | 2007-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN101553939A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
| 发明(设计)人: | C·汤斯;I·格里齐 | 申请(专利权)人: | CDT牛津有限公司;萨美甚株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 任宗华 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 器件 及其 制造 方法 | ||
1.制备光电器件的方法,该方法包括:
在含注入第一极性的电荷载流子的第一电极的衬底上沉积第一和第二聚合物在溶剂内的混合物;
交联第一聚合物,形成第二聚合物布置在其内的第一交联基体;和
沉积注入第二极性的电荷载流子的第二电极,其中在沉积之后且在交联之前,第一和第二聚合物部分相分离。
2.权利要求1的方法,进一步包括交联第二聚合物,形成第二交联基体,其中第一交联基体和第二交联基体形成互穿网络。
3.权利要求2的方法,其中通过加热到第一温度,交联第一聚合物,和通过加热到比第一温度高的第二温度,交联第二聚合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





