[发明专利]关联电子存储器

权利要求书

1.一种电阻转换集成电路存储器，包括：

电阻转换存储单元；

写入电路，用于使所述电阻转换存储单元根据输入所述存储器中的信息而成为第一电阻状态或第二电阻状态，其中所述电阻转换存储单元的电阻在所述第二电阻状态中比在所述第一电阻状态中更高；和

读取电路，用于感测所述存储单元的状态和提供对应于所述存储单元的感测状态的电信号；

所述电阻转换存储器的特征在于：所述电阻转换存储单元包括包含过渡金属氧化物和外来配体的关联电子材料(CEM)。

2.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其中所述存储器能够被读取10⁸次，同时具有小于50％的疲劳。

3.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其中所述存储器具有在-50℃～75℃的温度范围内变化小于50％的存储窗口。

4.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其中所述CEM包括选自以下的材料：铝、镉、铬、钴、铜、金、铁、锰、汞、钼、镍、钯、铼、钌、银、锡、钛、钒、锌、及其组合。

5.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其中所述CEM是实质上均匀的。

6.根据权利要求1所述的电阻转换存储器，其中所述外来配体包括碳或氨。

7.根据权利要求6所述的电阻转换存储器，其中所述外来配体包括CO的形式。

8.一种电阻转换存储器，包括：

以行和列布置的多个存储单元，每个所述存储单元是电阻转换存储单元，所述电阻转换存储单元包含电阻转换材料，并且每个所述存储单元包括在半导体中的沟道上形成的导体/可变电阻材料/导体(M/VRM/M)堆叠体；

写入电路，用于使选定的所述电阻转换存储单元根据输入所述存储器中的信息而成为第一存储单元电阻状态或第二存储单元电阻状态，其中所述材料的电阻在所述第二电阻状态中比在所述第一电阻状态中更高；和

读取电路，用于感测所述存储单元的状态和提供对应于所述存储单元的感测状态的电信号；

所述电阻转换存储器的特征在于：所述电阻转换存储单元包括包含过渡金属氧化物和外来配体的关联电子材料(CEM)。

9.根据权利要求8所述的存储器，其中每个所述单元均包括场效应晶体管(FET)。

10.根据权利要求8所述的存储器，其中每个所述单元均包括JFET。

11.根据权利要求8所述的电阻转换存储器，其中所述外来配体包括碳或氨。

12.根据权利要求11所述的电阻转换存储器，其中所述外来配体包括CO的形式。