[发明专利]使用多个门限读取存储单元的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求下列专利申请的权益：2006年10月30日提交的美国 临时专利申请60/863,506、2006年11月28日提交的美国临时专利申请 60/867,399、2007年2月8日提交的美国临时专利申请60/888,828、2007 年2月11日提交的美国临时专利申请60/889,277、2007年3月4日提交 的美国临时专利申请60/892,869、2007年3月13日提交的美国临时专利 申请60/894,456、2007年5月12日提交的美国临时专利申请60/917,653、 2007年7月20日提交的美国临时专利申请60/950,884和2007年7月22 日提交的美国临时专利申请60/951,215，各项专利申请的公开内容在此 以援引的方式纳入本说明书。

发明领域

本发明总体涉及存储器件，具体涉及从一些存储单元中读取数据 的方法和系统。

背景技术

几种类型的存储器件，如闪速存储器，使用模拟存储单元阵列存 储数据。每个模拟存储单元存储一个模拟值的量(如电荷或电压)，如 电荷或电压，它们代表存储在单元中的信息。例如，在闪速存储器中， 每个模拟存储单元存放一定量的电荷。可能的模拟值的范围通常被分 成多个区，每个区对应一个或多个数据比特值。通过写入一个对应于 所需比特的标称模拟值而将数据写入模拟存储单元。可被存储在模拟 存储单元中的可能比特值也称为该单元的存储状态。

一些通常也被称为单层单元(SLC)器件的存储器件，在每个存 储单元中存储1比特信息，即存储单元均可被编程以承担两种可能的 存储状态。通常被称为多层单元(MLC)器件的更高密度的器件，在每个 存储单元中存储两个或多个比特信息，即可被编程以承担两种以上可能 的存储状态。

闪速存储器，例如如2003年4月在proceedings of the IEEE (volume91，number 4)第489-502页由Bez等人发表的“Introduction to Flash Memory”中所述，该文献在此处以援引方式全部纳入本文。 例如，在纽约州纽约市举办的1996年的国际电子器件大会(IEDM)的 学报(Proceeding of the 1996IEEE International Electron Devices Meeting)的第169-172页上由Eitan等人发表的“Multilevel Flash Cells and their Trade-Offs”，描述了多层闪速存储单元和器件，该文献在此 以援引方式全部纳入本文。该文对比了几类多层闪速存储单元，如共 地型、DINOR、AND、NOR和NAND存储单元。