[发明专利]用于硅表面和层的含颗粒的蚀刻糊有效
| 申请号: | 200780040165.X | 申请日: | 2007-10-05 |
| 公开(公告)号: | CN101528884A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
| 发明(设计)人: | W·施托库姆;S·克莱因;A·屈贝尔贝克 | 申请(专利权)人: | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14;H01L21/311;C09K13/02;H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张 钦 |
| 地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 表面 颗粒 蚀刻 | ||
1.呈蚀刻糊形式的用于蚀刻硅表面和层的可印刷、可点胶的碱性 蚀刻介质,其包含
a)至少一种碱性蚀刻组分,
b)至少一种溶剂,
c)熔点>80℃且<200℃的具有10nm-30μm的相对粒径的有机颗 粒,所述相对粒径如说明书第13页第4段至第14页第1段中所述测 量,
其中所述蚀刻介质在高于150℃,但是低于200℃的温度下是有 效的,并且在所述温度下所述颗粒熔融。
2.根据权利要求1的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质的组分 c)中另外包含无机颗粒。
3.根据权利要求1的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质另外包 含d)增稠剂。
4.根据权利要求1的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质另外包 含e)添加剂。
5.根据权利要求4的蚀刻介质,其特征在于所述添加剂是消泡 剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂和粘合促进剂。
6.根据权利要求1-5中任一项的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻 介质基于总量按2-50wt%的浓度包含作为蚀刻组分的有机碱或无机 碱。
7.根据权利要求6的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质基于总 量按5-48wt%的浓度包含作为蚀刻组分的有机碱或无机碱。
8.根据权利要求1-5、7中任一项的蚀刻介质,其特征在于所述 蚀刻介质包含选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨、乙醇胺、乙二胺和氢氧 化四烷基铵、或者混合物乙二胺/邻苯二酚和乙醇胺/没食子酸之一的 至少一种蚀刻组分。
9.根据权利要求6的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质包含选 自氢氧化钠、氢氧化钾、氨、乙醇胺、乙二胺和氢氧化四烷基铵、或 者混合物乙二胺/邻苯二酚和乙醇胺/没食子酸之一的至少一种蚀刻组 分。
10.根据权利要求1-5、7、9中任一项的蚀刻介质,其特征在于 所述蚀刻介质包含选自氢氧化钠和氢氧化钾的至少一种蚀刻组分。
11.根据权利要求6的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质包含 选自氢氧化钠和氢氧化钾的至少一种蚀刻组分。
12.根据权利要求8的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质包含 选自氢氧化钠和氢氧化钾的至少一种蚀刻组分。
13.根据权利要求1-5、7、9、11、12中任一项的蚀刻介质,其 特征在于所述蚀刻介质包含具有1-10μm的相对粒径的有机颗粒。
14.根据权利要求6的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质包含 具有1-10μm的相对粒径的有机颗粒。
15.根据权利要求8的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质包含 具有1-10μm的相对粒径的有机颗粒。
16.根据权利要求10的蚀刻介质,其特征在于所述蚀刻介质包含 具有1-10μm的相对粒径的有机颗粒。
17.根据权利要求1-5、7、9、11、12、14-16中任一项的蚀刻介 质,其特征在于所述蚀刻介质,基于介质的总量,按10-90wt%的量包 含至少一种溶剂,该溶剂选自下组:水、异丙醇、二甘醇、二丙二醇、 聚乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、甘油、1,5-戊二 醇、2-乙基-1-己醇或它们的混合物,或选自下组:苯乙酮、甲基-2- 己酮、2-辛酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、乙二醇 单丁醚、乙二醇单甲醚、三甘醇单甲醚、二甘醇单丁醚、二丙二醇单 甲醚、羧酸酯、碳酸亚丙酯,或第二组溶剂的混合物,或同时包含来 自第一组以及第二组的溶剂的混合物。
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