[发明专利]氮化镓晶体以及其制备方法无效
| 申请号： | 200780039788.5 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101573479A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 马克·飞利浦·德艾芙琳;东-斯尔·帕克;史蒂芬·弗兰西斯·勒伯夫;拉里·波顿·罗兰;克里斯蒂·简·纳拉恩;慧聪·洪;彼得·麦卡·山特维克 | 申请（专利权）人： | 迈图高新材料公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B9/12;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN单晶，其具有厚度w和垂直于厚度w的定义晶面的二维x和y，其中该GaN单晶在x维或y维至少之一上至少为约2.75毫米，位错密度低于约104cm-2，并基本不含倾斜晶界，其中该单晶为晶锭。
2.根据权利要求1所述的GaN单晶，其中该GaN单晶从单个籽晶或晶核生长。
3.根据权利要求1所述的GaN单晶，其中该单晶是光学透明的，在465nm和700nm之间的波长下的光吸收系数低于100cm-1。
4.根据权利要求3所述的GaN单晶，其中在465nm和700nm之间波长下的光吸收系数低于5cm-1。
5.根据权利要求1所述的GaN单晶，其中该单晶包括n型和p型半导体材料之一。
6.根据权利要求5所述的GaN单晶，其中该单晶包括n型半导体材料且是光学透明的，在465nm和700nm之间波长下的光吸收系数低于100cm-1。
7.根据权利要求1所述的GaN单晶，其中该单晶具有在晶体温度为300K时在光子能量约3.38和约3.41eV之间达到峰值的光致发光光谱。
8.根据权利要求1所述的GaN单晶，其中所述位错密度低于约1000cm-2。
9.根据权利要求8所述的GaN单晶，其中所述位错密度低于约100cm-2。
10.一种半导体结构，其包括具有厚度w和垂直于厚度w的定义晶面的二维x和y的GaN单晶，该GaN单晶在x维或y维至少之一上至少为约2.75毫米，具有位错密度低于约104cm-2，并基本不含倾斜晶界，其中该单晶为晶锭。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中该GaN单晶从单个籽晶或晶核生长。
12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中该单晶是光学透明的，在465nm和700nm之间的波长下的光吸收系数低于100cm-1。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述在465nm和700nm之间波长下的光吸收系数低于5cm-1。
14.根据权利要求10所述的半导体结构，其中该单晶包括n型和p型半导体材料之一。
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中该单晶包括n型半导体材料且是光学透明的，在465nm和700nm之间的波长下的光吸收系数低于100cm-1。
16.根据权利要求10所述的半导体结构，其中该单晶具有在晶体温度为300K时在光子能量约3.38和约3.41eV之间达到峰值的光致发光光谱。
17.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述位错密度低于约1000em-2。
18.根据权利要求17所述的半导体结构，其中所述位错密度低于约100cm-2。
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