[发明专利]在太阳能电池基板上脉冲电镀低应力膜层的方法无效
申请号: | 200780039493.8 | 申请日: | 2007-10-16 |
公开(公告)号: | CN101553933A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 瑟奇·洛帕汀;查尔斯·盖伊;大卫·伊格尔沙姆;约翰·O·杜科维克;尼古拉·Y·科瓦尔斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;陈 红 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 基板上 脉冲 电镀 应力 方法 | ||
1.一种在太阳能电池基板中形成金属互连的方法,包含:
提供具有一n-型区域或一p-型区域的基板,且该n-型区域或p-型区域邻接该基板的一表面;
形成一毯覆种晶层,该毯覆种晶层与该基板的该表面上的该n-型区域或该p-型区域电联通;
蚀刻该毯覆种晶层以移除部分的该毯覆种晶层,从而暴露部分的该n型区域或该p-型区域以形成一图样种晶层;
藉由将该图样种晶层和一电极浸润在一第一电解液内,并且相对于该电极使用一电源输送的一或多个波形来偏压该图样种晶层,而于该图样种晶层上形成一第一金属接点层;及
在该第一金属接点层上形成一包含锡的接点界面层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中该表面为一光接收表面或一背侧表面。
3.根据权利要求1所述的方法,其中该一或多个波形包含一第一波形和一第二波形,该第一波形适以形成具有一第一颗粒尺寸的该第一金属接点层,该第二波形适以形成一具有一第二颗粒尺寸的第二金属接点层。
4.根据权利要求1所述的方法,其中该第一电解液包含一选自下列群组中的铜盐:硫酸铜、氯化铜、醋酸铜、焦磷酸铜及氟硼酸铜。
5.根据权利要求1所述的方法,其中该第一金属接点层包含铜和至少一种选自以下群组中的元素:银、镍、锌及锡。
6.根据权利要求1所述的方法,更包含藉由将该第一金属接点层和一电极浸润在一第二电解液内,并且相对于该电极使用一电源输送的一或多个波形来偏压该第一金属接点层,而在该第一金属接点层上形成一包含锡的接点界面层 之前于该第一金属接点层上形成一第二金属接点层。
7.根据权利要求6所述的方法,其中该第二电解液中含有一选自下列群组中的金属离子:锡、银、铜、金、铅及钌。
8.根据权利要求1所述的方法,其中该波形包含持续一第一时间段的一直流电成分和持续一第二时间段的一脉冲电镀成分,其中该脉冲电镀成分是一正向式脉冲或一逆向式脉冲。
9.一种在一太阳能电池基板上形成一金属互连的方法,包含:
提供一电解液容器,用来接收及维持一第一电解液于其中,该电解液容器具有一电极,设在该电解液容器内部;
提供一头组件,设在该电解液容器上方,该头组件包括一用来支撑一基板的基板固持物和一第一电极,其中该基板固持物盖住该基板的处理表面,且该基板固持物具有多个形成于其中的特征,该特征容许该处理表面上的多个区域接触该第一电解液;
放置具有一n-型区域或一p-型区域以及一种晶层的基板,该n-型区域或该p-型区域邻接该基板的一光接收表面,该种晶层接触该基板的光接收表面上的该n-型区域或p-型区域,使该基板与该第一电解液、该基板固持物和该第一电极接触;
在一电镀工艺期间,施加一或多个波形到该第一电极和一第二电极以在该种晶层上形成一第一金属层;以及
在该第一金属层上形成一包含锡的接点界面层。
10.根据权利要求9所述的方法,其中该一或多个波形包含一第一波形和一第二波形,该第一波形适以形成具有一第一颗粒尺寸的该第一金属层,并且该第二波形适以在形成该接点界面层之前形成一具有一第二颗粒尺寸的第二金属层。
11.根据权利要求9所述的方法,该第一电解液包含一选自下列群组中 的铜盐:硫酸铜、氯化铜、醋酸铜、焦磷酸铜及氟硼酸铜。
12.根据权利要求11所述的方法,其中该第一电解液包含铜离子和至少一种选自以下群组中的金属离子:银、镍、锌及锡。
13.根据权利要求9所述的方法,更包含:
自该电解液容器中移除该第一电解液;
将一第二电解液输送到该电解液容器中,其中该第二电解液包含一未见于该第一电解液内的金属离子;以及
施加一或多个波形到该第一电极与第二电极上,其中该处理表面和该第二电极接触该第二电解液。
14.根据权利要求13所述的方法,其中该第二电解液包含一选自下列群组中的金属离子:锡、银、金、铅及钌。
15.根据权利要求9所述的方法,其中该一或多个波形为一逆向脉冲式波形、一正向脉冲式波形或一直流电波形。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的