[发明专利]热光移相器及其制造方法

权利要求书

1.一种热光移相器，包括：

衬底；

牺牲层，所述牺牲层形成在所述衬底上方；

第一包覆层，所述第一包覆层形成在所述牺牲层上方，所述第一包覆层的薄膜密度高于所述牺牲层的薄膜密度；

光波导芯，所述光波导芯形成在所述第一包覆层上方；

第二包覆层，所述第二包覆层设在所述第一包覆层之上以覆盖所述光波导芯；

热生成加热器，设于直接位于所述光波导芯上方的所述第二包覆层的一个区域内；和

形成在所述光波导芯侧面区域中的凹槽，所述凹槽从所述第二包覆层的表面延伸至所述衬底的表面。

2.如权利要求1所述的热光移相器，其中：

所述牺牲层的体积密度至少为2.0g/cm³。

3.如权利要求1所述的热光移相器，其中：

所述牺牲层和所述第一包覆层由硅玻璃制成。

4.如权利要求1所述的热光移相器，其中：

所述牺牲层和所述第一包覆层由硅玻璃和来自磷玻璃、硼玻璃和锗玻璃中的至少一种杂质材料制成。

5.如权利要求4所述的热光移相器，其中：

所述牺牲层中的杂质材料含量和所述第一包覆层中的杂质材料含量之差不超过1wt％。

6.如权利要求4所述的热光移相器，其中：

所述牺牲层中的杂质材料含量和所述第一包覆层中的杂质材料含量均不超过4wt％。

7.一种热光移相器的制造方法，包括：

在衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成第一包覆层，所述第一包覆层的薄膜密度高于所述牺牲层的薄膜密度；

在所述第一包覆层上形成光波导芯；

在所述第一包覆层之上形成第二包覆层以覆盖所述光波导芯；

在所述第二包覆层的直接位于所述光波导芯上方的一个区域中形成热生成加热器；和

在所述光波导芯的侧面区域内形成从所述第二包覆层的表面延伸至所述衬底的表面的凹槽。

8.如权利要求7所述的热光移相器的制造方法，其中：

所述牺牲层采用等离子增强化学气相沉积方法、常压化学气相沉积方法或溅射方法形成。

9.如权利要求7所述的热光移相器的制造方法，其中所述形成凹槽的步骤包括：

通过利用反应离子蚀刻设备从所述第二包覆层蚀刻至所述牺牲层的最底部分来形成垂直槽；和

在所述垂直槽形成后，利用湿法蚀刻方法在所述垂直槽上进行侧面蚀刻。