[发明专利]光电装置及其制作方法

权利要求书

1.一种光电装置，包括至少一个经修饰光催化单元和半导体材 料表面，其中所述至少一个经修饰光催化单元连接到所述半导体材 料表面，使得在所述光催化单元吸收光时，生成足量的电场以诱导 所述半导体材料内的电荷载流子运动。

2.一种场效应晶体管装置，包括半导体源极层、半导体漏极 层、半导体沟道层及至少一层经修饰光催化单元，所述经修饰光催 化单元淀积在所述半导体沟道层的表面上，淀积方式使得在所述至 少一个光催化单元吸收光时，生成足量的电场以诱导在所述半导体 源极层与所述半导体漏极层之间通过所述半导体沟道层的电荷载流 子运动。

3.如权利要求1或2所述的装置，在干燥的环境中可操作。

4.如权利要求1或2所述的装置，其中所述至少一个经修饰光 催化单元包括至少一个具有光合生物的光催化单元的多肽的氨基酸 序列的经修饰多肽。

5.如权利要求1或2所述的装置，其中所述至少一个经修饰光 催化单元间接连接到所述半导体材料表面。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述间接连接是通过单层的 接头分子来进行。

7.如权利要求6所述的装置，其中所述单层的接头分子化学吸 附在所述半导体材料表面上。

8.如权利要求4所述的装置，其中所述光合生物是绿色植物。

9.如权利要求4所述的装置，其中所述光合生物是蓝细菌。

10.如权利要求4所述的装置，其中所述光合生物是集胞藻 (Synechosystis sp.)PCC 6803。

11.如权利要求4所述的装置，其中所述光催化单元是PS-I。

12.如权利要求9或10所述的装置，其中所述光催化单元是集 胞藻(Synechosystis sp.)PCC 6803光催化单元。

13.如权利要求4所述的装置，其中所述光催化单元的所述多 肽的所述氨基酸序列包含至少一个置换突变。

14.如权利要求13所述的装置，其中所述置换突变是在所述光 催化单元的膜外环上。

15.如权利要求4所述的装置，其中所述多肽的所述氨基酸序 列是psaB。

16.如权利要求4所述的装置，其中所述多肽的所述氨基酸序 列是psaC。

17.如权利要求15所述的装置，其中所述Psa B在至少一个由 坐标D235C/Y634C界定的位置中包含置换突变。

18.如权利要求15所述的装置，其中所述Psa C在至少一个由 坐标W31C界定的位置中包含置换突变。

19.如权利要求13所述的装置，其中所述至少一个置换突变是 半胱氨酸。

20.如权利要求1或2所述的装置，其中所述半导体材料表面 由n型的半导体制成。

21.如权利要求1或2所述的装置，其中所述半导体材料表面 由p型的半导体制成。

22.如权利要求1或2所述的装置，其中所述半导体材料表面 由i型的半导体制成。

23.如权利要求1或2所述的装置，其中所述半导体材料表面 是透明的。

24.如权利要求1或2所述的装置，其中所述半导体材料表面 包含GaAs。

25.如权利要求1或2所述的装置，其中所述半导体材料表面 包含GaN。

26.如权利要求1或2所述的装置，其中所述半导体材料表面 包含AlGaN。

27.如权利要求11所述的装置，其中所述经分离多肽是单聚体 形式或三聚体形式。