[发明专利]疏水性修饰的聚胺污垢抑制剂有效
| 申请号： | 200780038199.5 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101522571A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 霍华德·I·海特纳;唐纳德·P·斯皮策 | 申请（专利权）人： | 氰特技术公司 |
| 主分类号： | C02F1/00 | 分类号： | C02F1/00;C02F5/00;C02F5/12;C08G73/02;C23F14/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 疏水 修饰 污垢 抑制剂 | ||
1.包含式(I)的重复单元和式(II)的重复单元的聚合物：
其中：
T和E分别独立地为第一可选地取代的包含2至40个碳的烃基；
Q为包含1至20个碳的第二烃基；
A1和A2分别独立地为直接的键或包含1至20个碳的有机连接基团； R”＝H，可选地取代的C1-C20烷基，可选地取代的C6-C12芳基，可 选地取代的C7-C20芳烷基，可选地取代的C2-C20烯基，I族金属离子， II族金属离子，或NR14，其中每个R1独立地选自H，可选地取代的 C1-C20烷基，可选地取代的C6-C12芳基，可选地取代的C7-C20芳烷 基，和可选地取代的C2-C20烯基；以及
该聚合物具有至少500的平均分子量；
一个条件是Q不包含Si(OR”)3基团；一个条件是A2不是未取 代的-C(＝O)-烷基。
2.如权利要求1所述的聚合物，进一步包含-((CH2)n-NH)-重复单元， 其中n为2至10范围内的整数。
3.如权利要求1或权利要求2所述的聚合物，其中该有机连接基团A1和A2每个独立地由-A3-A4-A5-A6-表示，其中：
A3为直接的键，NR’或O，其中R’为H或C1-3烷基；
A4为直接的键，C＝O，可选地取代的C1-C10亚烷基，或者可选地取 代的C6-C12芳基；
A5为直接的键，O，NR’”，酰胺，尿烷或脲，其中R’”为H或C1-3烷基；且
A6为直接的键，O，可选地取代的C1-C20烷基，可选地取代的C2-C20烯基或可选地取代的C7-C20芳烷基。
4.如权利要求1或权利要求2所述的聚合物，其中有机连接基团A1和A2中至少一个选自-CH(OH)-CH2-，-CH2-CH(OH)-， -CH(OH)-CH2-O-，-CH2-CH(OH)-O-，-CH2-CH(OH)-CH2-O-， -C(＝O)-CH(CO2M)-，-C(＝O)-CH(CH2CO2M)-和 -C(＝O)-CH2-CH(CO2M)-，其中M选自H，金属阳离子，铵阳离子， 可选地取代的C1-C20烷基，可选地取代的C6-C12芳基，可选地取代 的C7-C20芳烷基，以及可选地取代的C2-C20烯基。
5.如权利要求4所述的聚合物，其中有机连接基团A1和A2中至少一 个为-CH2-CH(OH)-CH2-O-。
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