[发明专利]弹性边界波装置

说明书

技术领域

本发明涉及例如作为共振子或带通滤波器使用的弹性边界波 (boundary wave)装置，更具体来说，具有压电体、通过在压电体的上表 面埋入金属而形成的电极、和以覆盖压电体及电极的方式设置的电介体的 弹性边界波装置。

背景技术

在移动体通信系统中使用的双工分频器(DPX)或RF滤波器中，寻 求满足宽频带且良好的温度特性两者。以往，在DPX或RF滤波器中使用 的弹性表面波装置中，使用由36°～50°旋转Y板X传输LiTaO₃构成的 压电基板。该压电基板的频率温度系数为-45～-35ppm/℃左右。知道有 为了改善温度特性，在压电基板上以被覆IDT电极的方式将具有正的频率 温度系数的SiO₂膜成膜的方法。

然而，在SiO₂膜以被覆IDT电极的方式形成的结构中，在IDT电极 的电极指存在的部分、和不存在的部位产生高低差。即，在IDT电极存在 的部分、和不存在的部分，SiO₂膜的表面的高度不得不不同。因此，由于 上述SiO₂膜表面的凹凸，导致插入损失变差的问题。

另外，随着IDT电极的膜厚的变大，上述凹凸不得不变大。从而，不 能增加IDT电极的膜厚。

近年来，为了能够代替弹性表面波滤波器装置，并实现封装件的小型 化，弹性边界波装置受到瞩目。在下述非专利文献1中，公开有在LiNbO₃基板上依次形成IDT电极及作为电介体的SiO₂膜而成的弹性边界波滤波 器装置。在此，通过增加IDT电极的膜厚，使在LiNbO₃基板和SiO₂膜的 界面传输的SH型弹性边界波的音速低于SiO₂膜的迟滞横波，SH型边界 波不漏泄。SH型边界波不漏泄的IDT电极的厚度从该非专利文献1的图 3可知，在由Al构成的IDT电极的情况下为0.15λ以上，在由Cu、Ag 或Au构成的IDT电极的情况下为0.04λ以上。还有，λ表示SH型边界 波的波长。

非专利文献：《使用了弹性边界波的RF滤波器》 (Proc.Symp.Ultrason.Electron.，Vol.26，pp.25-26(2005/11))

然而，如非专利文献1中记载的弹性边界波滤波器装置一样，将由 Au构成的IDT电极形成为0.04λ以上的厚度的情况下，由于电极的厚度 不均，导致弹性边界波滤波器的频率特性具有大幅度不均倾向。因此，难 以稳定地制造具有良好的频率特性的弹性边界波装置。

发明内容

本发明的目的在于鉴于上述以往技术的现状，提供在减小电极的厚度 的情况下，也能够将SH型的弹性边界波有效地封闭在压电体和电介体的 边界且低损失的弹性边界波装置。

根据本申请的第一发明可知，提供一种弹性边界波装置，其特征在于， 具备：在上表面形成有多条槽的、欧拉角(0°，θ，-45°～+45°)的 LiNbO₃基板；在所述槽中填充金属材料而形成的电极；以覆盖所述LiNbO₃基板及电极的方式形成的电介体层，该电介体层的上表面形成为平坦，形 成所述电极的金属材料为选自Al、Ti、Ni、Cr、Cu、W、Ta、Pt、Ag及 Au的一种金属材料，所述Al及Ti设为第一组，Ni及Cr设为第二组，Cu、 W、Ta、Pt、Ag及Au设为第三组，属于各组的金属材料构成的电极的厚 度、所述LiNbO₃基板的欧拉角的θ、和所述电介体层的厚度在下述表1 所示的任一个范围。

[表1]

电极厚度及电介体层厚度均为标准化膜厚H/λ(λ为弹性边界波的波长。)

在第一发明的弹性边界波装置中，优选所述电极的厚度、所述LiNbO₃基板的欧拉角的θ及所述电介体层的厚度在下述表2所示的任一个范围。

[表2]

电极厚度及电介体层厚度均为标准化膜厚H/λ(λ为弹性边界波的波长。)