[发明专利]信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶

权利要求书

1、一种信息记录介质，

其是通过照射光或施加电能而能够记录信息的信息记录介质，其中，

至少具有能发生相变化的记录层，

所述记录层将选自Zn、Si以及C中的至少一种元素和Sb共计含有85原子％以上。

2、如权利要求1所述的信息记录介质，其中，

所述记录层含有下述式(1)表示的材料，

Sb_100-a1M1_a1(原子％)     (1)

其中，M1表示选自Zn、Si以及C中的至少一种元素，a1表示以原子％表示的组成比，并且满足0<a1≦50。

3、如权利要求1所述的信息记录介质，其中，

所述记录层含有下述式(2)表示的材料，

Sb_100-a2Zn_a2(原子％)      (2)

其中，a2表示以原子％表示的组成比，并且满足0<a2≦30。

4、如权利要求1所述的信息记录介质，其中，

所述记录层含有下述式(3)表示的材料，

Sb_100-a3Si_a3(原子％)     (3)

其中，a3表示以原子％表示的组成比，并且满足0<a3≦30。

5、如权利要求1所述的信息记录介质，其中，

所述记录层含有下述式(4)表示的材料，

Sb_100-a4C_a4(原子％)     (4)

其中，a4表示以原子％表示的组成比，并且满足0<a4≦50。

6、如权利要求1所述的信息记录介质，其中，

所述记录层含有下述式(5)表示的材料，

Sb_100-a5(SiC)_a5(mol％)         (5)

其中，a5表示以原子％表示的组成比，并且满足0<a5≦30。

7、如权利要求1所述的信息记录介质，其中，

所述记录层还含有选自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一种元素。

8、如权利要求7所述的信息记录介质，其中，

所述记录层含有下述式(6)表示的材料，

Sb_100-a6-b6M1_a6M2_b6(原子％)         (6)

其中，M1为选自Zn、Si以及C中的至少一种元素，M2为选自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一种元素，a6以及b6表示以原子％表示的组成比，并且满足0<a6≦50、0<b6≦15。

9、如权利要求1～8中任一项所述的信息记录介质，其中，

所述记录层还含有选自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一种元素。

10、如权利要求1～9中任一项所述的信息记录介质，其中，

所述记录层的厚度为15nm以下。

11、如权利要求1～9中任一项所述的信息记录介质，其中，

所述记录层的厚度为3nm以下。

12、如权利要求1～11中任一项所述的信息记录介质，其中，

所述信息记录介质具有N1个信息层，所述信息层的至少一个具有所述记录层，N1为2以上的整数。

13、如权利要求12所述的信息记录介质，其中，N1＝2。

14、如权利要求12所述的信息记录介质，其中，N1＝3或4。