[发明专利]薄膜晶体管基板及显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其具有薄膜晶体管的半导体层和源-漏电极，其特征在于，

所述源-漏电极由含有氮的含氮层或含有氮及氧的含氧氮层和纯Cu或Cu合金薄膜构成，

构成所述含氮层的氮的一部分或者全部、或者构成所述含氧氮层的氮或氧的一部分或者全部，与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si结合，形成Si氮化物或Si氮氧化物，

所述纯Cu或Cu合金薄膜经所述含氮层或所述含氧氮层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述Si氮化物或Si氮氧化物是对所述半导体层的上部进行氮化处理而形成的。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，构成所述含氮层的氮原子数[N]与Si原子数[Si]之比[N]/[Si]的最大值在0.2以上2.0以下的范围内，构成所述含氧氮层的氮原子数[N]和氧原子数[O]之和与Si原子数[Si]之比([N]+[O])/[Si]的最大值在0.2以上2.0以下的范围内。

4.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述含氮层或所述含氧氮层的厚度在0.8nm以上3.5nm以下的范围内。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述含氮层或所述含氧氮层的厚度在0.8nm以上3.5nm以下的范围内。

6.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的所述半导体层由非晶硅或多晶硅构成。

7.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的所述半导体层由非晶硅或多晶硅构成。

8.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的所述半导体层由非晶硅或多晶硅构成。

9.一种显示器件，其特征在于，具备权利要求6～8中任一项所述的薄膜晶体管基板。