[发明专利]分布化学机械抛光方法无效
| 申请号： | 200780037463.3 | 申请日： | 2007-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101523562A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 俞昌;杨春晓;荆建芬 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国上海市浦东新区张江高科技园*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分布 化学 机械抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种分步化学机械抛光方法，其特征在于：第一步骤用具有多晶硅去除速率大于或等于200埃/min的化学机械抛光液进行抛光，第二步骤在该抛光液中加入氧化剂进行抛光，所述的氧化剂的加入量为重量百分比10～30％，其中，所述的抛光液包含至少一种研磨颗粒和水，所述的研磨颗粒选自下列五种中的一个或多个：二氧化铈，二氧化锆，碳化硅，聚四氟乙烯和聚苯乙烯。
2.根据权利要求1所述的分步化学机械抛光方法，其特征在于：所述的研磨颗粒的含量为重量百分比小于或等于30％。
3.根据权利要求1所述的分步化学机械抛光方法，其特征在于：所述的抛光液还包含pH调节剂、络合剂和/或多晶硅去除速率调节剂。
4.根据权利要求1所述的分步化学机械抛光方法，其特征在于：所述的氧化剂为含硫氧化剂、含碘氧化剂、含溴氧化剂、含氯氧化剂、双氧水、过氧乙酸或其它过氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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