[发明专利]等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质

权利要求书

1.一种等离子体氧化处理方法，其特征在于包括下述步骤：

在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面 具有凹凸形状的图案的被处理体；

在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在5～20％范围， 并且处理压力在267Pa以上400Pa以下的范围的条件形成等离子体； 并且，

通过所述等离子体，氧化所述被处理体的表面的硅，形成用于浅 沟道隔离的硅氧化膜，

所述处理气体按照0.1～10％的比例包含氢，在所述处理气体中， Ar气体的流量为50～5000mL/min，O₂气体的流量为10～500mL/min， H₂气体流量为1～110mL/min，

处理温度为200～800℃，

氢气量/氧气量为0.1～0.5。

2.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述等离子体是，通过由具有多个槽缝的平面天线导入所述处理 容器内的微波激励所述处理气体而形成的微波激励等离子体。

3.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

在被处理体的表面，形成有所述凹凸图案疏的区域和该凹凸图案 密的区域。

4.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

按照在所述凹凸图案的凸部上端的角部形成的硅氧化膜的膜厚t_c、 与在所述凸部的侧面形成的硅氧化膜的膜厚t_s的比t_c/t_s为0.95以上1.5 以下的方式形成硅氧化膜。

5.根据权利要求3所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

按照所述凹凸图案密的区域的凹部的底处的硅氧化膜的膜厚相对 于所述凹凸图案疏的区域的凹部的底处的硅氧化膜的膜厚的比率为 85％以上的方式形成硅氧化膜。

6.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述处理气体中的氧的比例为10～18％。

7.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述处理压力为300Pa以上350Pa以下。

8.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

将包含5～20％的氧的处理气体，按照在所述处理容器内实际有效 地被实施等离子体处理的等离子体处理空间的容积每1mL为 0.128mL/min以上的流量供给到所述处理容器内。

9.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

当在所述处理容器内实际有效地被实施等离子体处理的等离子体 处理空间的容积为15～16L的情况下，将氧的比例为5～20％的处理气 体按照2000mL/min以上的流量供给到所述处理容器内。

10.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

基于所述等离子体的硅的氧化处理在加热被处理体的同时进行， 在所述硅的氧化处理之前将被处理体的预备加热进行5～30秒。