[发明专利]用于减少由基片处理弯液面留下的进入和/或离开的痕迹的载具无效
申请号: | 200780036306.0 | 申请日: | 2007-09-27 |
公开(公告)号: | CN101523563A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 罗伯特·奥唐奈;埃里克·伦兹;马克·威尔考克森;迈克·拉维肯;亚历山大·A·艾斯科尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减少 处理 液面 留下 进入 离开 痕迹 | ||
1.一种载具,用于在使该载具通过由上部和下部临近头形成的弯 液面而处理基片时支撑基片,该载具包括:
框架,其具有尺寸设为容纳基片的开口;
多个用于在该开口内支撑该基片的支撑销,该开口稍大 于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙;以及
形成在所述框架内的最接近所述基片前缘或后缘中的至 少一个的挖去部分,该挖去部分用于减少进入和离开痕迹至少 之一的大小和频次以帮助和促进来自该弯液面的液体排出该 间隙。
2.根据权利要求1所述的载具,其中该载具的形状设为当通过该 弯液面时该载具的前缘和后缘至少一个与该弯液面的前缘和 后缘不平行。
3.根据权利要求1所述的载具,其中所述挖去部分使得来自该弯 液面的液体在该基片的前缘离开该弯液面后缘时离开该间隙, 由此减少进入痕迹的大小和频次。
4.根据权利要求1所述的载具,其中所述挖去部分使得来自该弯 液面的液体在该基片的后缘离开该弯液面的后缘时离开该间 隙,由此减少离开痕迹的大小和频次。
5.根据权利要求1所述的载具,其中该挖去部分是凹口形状。
6.根据权利要求1所述的载具,其中该挖去部分是V形。
7.根据权利要求1所述的载具,其中该挖去部分包括多个狭缝或 凹槽。
8.根据权利要求1所述的载具,其中该挖去部分是袋形。
9.根据权利要求1所述的载具,其中所述框架包括最接近该基片 后缘的亲水性的表面。
10.根据权利要求9所述的载具,其中该亲水性的表面通过为该框 架选择的亲水性的材料而形成。
11.根据权利要求9所述的载具,其中该亲水性的表面通过利用亲 水性的材料涂覆该框架形成。
12.根据权利要求9所述的载具,其中该框架整个上部和下部表面 是亲水性的。
13.根据权利要求9所述的载具,其中除了最接近该基片后缘的亲 水性的表面外,该框架是疏水性的。
14.根据权利要求9所述的载具,其中该框架在最接近该基片前缘 处是疏水性的。
15.根据权利要求9所述的载具,其中该框架具有亲水性表面的区 域是V形。
16.一种使用由上部和下部临近头形成的弯液面处理基片的方法, 该方法包括:
将基片设在载具上,该载具包括具有尺寸设为容纳基片 的开口的框架和多个在该开口内支撑该基片的支撑销,该开口 稍大于该基片,从而设置该基片后,在该基片和该开口之间存 在间隙;以及
在所述框架内形成最接近所述基片前缘或后缘中至少一 个的挖去部分,该挖去部分能通过促进来自该弯液面的液体排 出该间隙而减少进入和离开痕迹的至少一个的大小和频次。
17.根据权利要求16所述的方法,其中该减少包括使得来自该弯 液面的液体在该基片前缘离开该弯液面后缘时离开该间隙,由 此减少进入痕迹的大小和频次。
18.根据权利要求16所述的方法,其中该减少包括使得来自该弯 液面的液体在该基片后缘离开该弯液面后缘时离开该间隙,由 此减少离开痕迹的大小和频次。
19.根据权利要求16所述的方法,其中该减少包括在所述框架上 提供最接近该基片后缘的亲水性的表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造