[发明专利]钛酸钡系半导体瓷组合物和使用其的PTC元件有效
| 申请号： | 200780035937.0 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101516802B | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 胜勇人;三原贤二良;新见秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钛酸钡 半导体 组合 使用 ptc 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种钛酸钡系半导体瓷组合物，其是至少含有钡和钛的钙钛矿结 构的钛酸钡系半导体瓷组合物，其中，
钡的一部分至少被碱金属元素、铋及稀土元素置换，
在将所述钛的含量设为100摩尔份时，所述碱金属元素、所述铋及所 述稀土元素的以摩尔份表示的各含量的关系即(碱金属元素的含量)/{(铋 的含量)+(稀土元素的含量)}的比率为1.00以上且1.06以下。
2.根据权利要求1所述的钛酸钡系半导体瓷组合物，其中，
在所述钛酸钡系半导体瓷组合物的晶界存在的所述铋与所述碱金属 元素的以摩尔份表示的含量的比率即(碱金属元素的含量)/(铋的含量) 为1.04以上且5.0以下。
3.一种PTC元件，其中，具备：
使用权利要求1所述的钛酸钡系半导体瓷组合物形成的陶瓷坯料；和
在所述陶瓷坯料的表面形成的电极。
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