[发明专利]LED半导体及LED半导体的应用有效
| 申请号： | 200780035389.1 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101517757A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | P·海德博恩;R·温迪希;R·沃思 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 汤春龙;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 半导体 应用 | ||
1.一种LED半导体(1)，具有至少一个产生辐射的第一有源层(2)以及至少一个产生辐射的第二有源层(3)，所述第二有源层(3)在竖直方向上堆叠在所述第一有源层(2)之上并与所述第一有源层(2)串联连接，其中：
所述第一有源层(2)与所述第二有源层(3)借助于接触区(4)而导电连接；
第一导电类型的半导体层(5)在竖直方向上设置在所述第一有源层(2)之后；
在所述第一导电类型的半导体层(5)与所述第二有源层(3)之间设置第二导电类型的半导体层(6)；
所述第一导电类型的半导体层(5)具有未由半导体材料覆盖的第一自由区(9)。
2.根据权利要求1所述的LED半导体(1)，其中所述接触区(4)设置在所述LED半导体(1)的侧面上。
3.根据权利要求1所述的LED半导体(1)，其中所述第一导电类型的半导体层(5)及所述第二导电类型的半导体层(6)构成隧道结。
4.根据权利要求1所述的LED半导体(1)，其中所述第二导电类型的半导体层(6)具有未由半导体材料覆盖的第二自由区(10)。
5.根据权利要求4所述的LED半导体(1)，其中所述接触区(4)自所述第一自由区(9)延伸至所述第二自由区(10)。
6.根据权利要求1所述的LED半导体(1)，其中所述接触区(4)包含TCO。
7.根据权利要求1所述的LED半导体(1)，其中所述第一有源层(2)与所述第二有源层(3)之间的所述接触区(4)集成在所述LED半导体(1)中。
8.根据权利要求7所述的LED半导体(1)，其中所述接触区(4)具有至少一个第一区域(4a)及至少一个第二区域(4b)。
9.根据权利要求8所述的LED半导体(1)，其中所述第二区域(4b)是导电的。
10.根据权利要求7所述的LED半导体(1)，其中所述接触区(4)包含可由所述第一有源层(2)和/或第二有源层(3)产生的辐射穿透的材料。
11.根据权利要求10所述的LED半导体(1)，其中所述接触区(4)包含TCO。
12.根据权利要求7所述的LED半导体(1)，其中所述接触区(4)包含粘合剂。
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