[发明专利]高度填充的热塑性复合材料无效
| 申请号: | 200780035200.9 | 申请日: | 2007-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN101605844A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
| 发明(设计)人: | P·丘巴洛;G·S·斯韦;O·-H·权 | 申请(专利权)人: | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分类号: | C08K3/00 | 分类号: | C08K3/00;H01B1/22 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 顾 敏 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高度 填充 塑性 复合材料 | ||
1.一种复合材料,其包括热塑性聚合物基质和分散在该热塑性聚合物基质中 的非碳电阻率改进剂,该复合材料的表面电阻率约为1.0x104-1.0x1011欧姆/□,其 至少一部分表面的表面粗糙度(Ra)不大于约500纳米。
2.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述表面粗糙度(Ra)不大于 约250纳米。
3.如权利要求2所述的复合材料,其特征在于,所述表面粗糙度(Ra)不大于 约150纳米。
4.如权利要求3所述的复合材料,其特征在于,所述表面粗糙度(Ra)不大于 约100纳米。
5.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,复合材料的至少一部分表面 的粗糙度(Rt)值不大于2.5微米。
6.如权利要求5所述的复合材料,其特征在于,所述粗糙度(Rt)值不大于2.0 微米。
7.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述热塑性聚合物基质包括 聚酰胺、聚苯硫醚、聚碳酸酯、聚醚、聚酮、聚芳基醚酮,或者它们的任意组合。
8.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述热塑性聚合物基质包括 在聚合物的两个单体之间具有醚键的聚合物。
9.如权利要求8所述的复合材料,其特征在于,所述聚合物包括聚芳基醚酮。
10.如权利要求9所述的复合材料,其特征在于,所述聚芳基醚酮包括聚醚醚 酮(PEEK)。
11.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述非碳电阻率改进剂基本 是单分散的。
12.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述表面电阻率约为 1.0x105-1.0x109欧姆/□。
13.如权利要求12所述的复合材料,其特征在于,所述表面电阻率约为 1.0x105-1.0x107欧姆/□。
14.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述复合材料的表面电阻不 大于约1.0x107欧姆。
15.如权利要求14所述的复合材料,其特征在于,所述表面电阻不大于约5.0 x106欧姆。
16.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述非碳电阻率改进剂的体 积电阻率约为1.0x10-2-1.0x107欧姆-厘米。
17.如权利要求16所述的复合材料,其特征在于,所述体积电阻率约为 1.0-1.0x105欧姆-厘米。
18.如权利要求16所述的复合材料,其特征在于,所述体积电阻率约为 1.0x102-1.0x105欧姆-厘米。
19.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述复合材料对100V衰减 的衰减时间不大于约1.0秒。
20.如权利要求19所述的复合材料,其特征在于,所述对100V衰减的衰减时 间不大于约0.01秒。
21.如权利要求20所述的复合材料,其特征在于,所述对100V衰减的衰减时 间不大于约0.001秒。
22.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述复合材料对10V衰减的 衰减时间不大于约1.0秒。
23.如权利要求22所述的复合材料,其特征在于,所述对10V衰减的衰减时 间不大于约0.01秒。
24.如权利要求23所述的复合材料,其特征在于,所述对10V衰减的衰减时 间不大于约0.005秒。
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