[发明专利]具有相容电介质层的有源区域

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

用半导体材料形成的衬底；

直接在所述衬底上并由III-V族材料构成的有源区域，其中所述 有源区域的成分不同于所述衬底的成分；以及

直接布置在所述有源区域上的电介质层，其中在所述电介质层和 所述有源区域的界面处，所述电介质层包括所述衬底的氧化物层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述衬底由硅组成，并 且所述氧化物层选自由二氧化硅或氧氮化硅层组成的组。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述衬底中硅原子的原 子浓度大于97％。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述III-V族材料选自 由以下材料组成的组：氮化镓、磷化镓、砷化镓、磷化铟、锑化铟、 砷化铟镓、砷化铝镓和磷化铟镓。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述衬底由硅组成，并 且所述氧化物层选自由二氧化硅或氧氮化硅层组成的组。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述电介质层还包括布 置在所述衬底的所述氧化物层上方的高K电介质材料层。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中所述衬底由硅组成，所 述氧化物层选自由二氧化硅或氧氮化硅层组成的组，并且所述高K电 介质材料选自由以下材料组成的组：氧化铪、硅酸铪、氧化镧、氧化 锆、硅酸锆、氧化钽、钛酸锶钡、钛酸钡、钛酸锶、氧化钇、氧化铝、 氧化铅钪钽、铌酸铅锌或其组合。

8.一种半导体器件，包括：

用半导体材料形成的衬底；

直接布置在所述衬底上并由III-V族材料构成的有源区域，其中 所述有源区域的成分不同于所述衬底的成分；

直接布置在所述有源区域上的栅极电介质层，其中在所述栅极电 介质层和所述有源区域的界面处，所述栅极电介质层由所述衬底的氧 化物层组成；

位于所述栅极电介质层上方的栅电极；

在所述有源区域中、在所述栅电极的两侧上的一对尖端延伸部；

位于所述一对尖端延伸部的上方、与所述栅电极的侧壁相邻的一 对栅极隔离间隔物；以及

在所述有源区域中、在所述一对栅极隔离间隔物的两侧上的一对 源极/漏极区域。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述衬底由硅组成，并 且所述氧化物层选自由二氧化硅或氧氮化硅层组成的组。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述衬底中硅原子的 原子浓度大于97％。

11.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述III-V族材料选自 由以下材料组成的组：氮化镓、磷化镓、砷化镓、磷化铟、锑化铟、 砷化铟镓、砷化铝镓和磷化铟镓。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述衬底由硅组成， 并且所述氧化物层选自由二氧化硅或氧氮化硅层组成的组。

13.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述栅极电介质层还 包括位于所述衬底的所述氧化物层上方的高K电介质材料层。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中所述衬底由硅组成， 所述氧化物层选自由二氧化硅或氧氮化硅层组成的组，并且所述高K 电介质材料选自由以下材料组成的组：氧化铪、硅酸铪、氧化镧、氧 化锆、硅酸锆、氧化钽、钛酸锶钡、钛酸钡、钛酸锶、氧化钇、氧化 铝、氧化铅钪钽、铌酸铅锌或其组合。

15.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述一对源极/漏极区 域由不同于所述有源区域的半导体材料的半导体材料组成。