[发明专利]光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器有效
申请号: | 200780034287.8 | 申请日: | 2007-04-12 |
公开(公告)号: | CN101517751A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 德田敏;冈本保 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所;独立行政法人国立高等专门学校机构 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;G01T1/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 检测器 制造 方法 | ||
1.一种光或放射线检测器的制造方法,其是制造光或放射线检测器 的制造方法,该光或放射线检测器具备通过光或放射线的入射而生成电荷 的多结晶的半导体膜和为了层叠形成该半导体膜而将其支承的支承基板, 并且以沿其厚度方向连续地形成所述半导体膜的结晶粒,
所述光或放射线检测器的制造方法的特征在于,
在形成所述半导体膜时,在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半 导体膜后,将该模仿基板替换成所述支承基板,并在该支承基板上通过蒸 镀继续形成半导体膜,并且,通过使蒸镀源和所述支承基板或模仿基板接 近而在该基板的表面堆积所述蒸镀源的升华物的接近升华法,而形成应形 成于所述支承基板的所述半导体膜或应形成于所述模仿基板的所述半导 体膜。
2.如权利要求1所述的光或放射线检测器的制造方法,其特征在于,
所述模仿基板由与所替换的支承基板相同的物质形成。
3.如权利要求1所述的光或放射线检测器的制造方法,其特征在于,
所述模仿基板以与所替换的支承基板相同的尺寸而形成。
4.如权利要求1~3中任一项所述的光或放射线检测器的制造方法, 其特征在于,
所述支承基板是施加偏置电压的通用电极。
5.如权利要求1~3中任一项所述的光或放射线检测器的制造方法, 其特征在于,
将所述支承基板和所述模仿基板预先收容于一个腔室内,并且,当在 所述模仿基板上形成所述半导体膜时,使所述支承基板退避到所述腔室内 的退避部位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社岛津制作所;独立行政法人国立高等专门学校机构,未经株式会社岛津制作所;独立行政法人国立高等专门学校机构许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780034287.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池模块以及包含该电池模块的中型或大型电池组
- 下一篇:太阳电池模块
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的