[发明专利]用于控制电容性湿度传感器的灵敏度和值的方法和装置有效

专利信息
申请号: 200780033379.4 申请日: 2007-09-06
公开(公告)号: CN101512331A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: Y·M·阿利米;R·A·达维斯 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22;H01G4/255
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 柯广华;王忠忠
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 控制 电容 湿度 传感器 灵敏度 方法 装置
【说明书】:

技术领域

实施例通常涉及湿度传感器及其形成方法。实施例也涉及基于电 容性的湿度传感器。实施例还涉及控制基于电容性的湿度传感器的技 术。

背景技术

可用多种技术测量湿度。在半导体系统中,可基于聚合材料的可 逆吸水性特性来测量湿度。传感器结构吸水导致活性聚合物中的多种 物理变化。这些物理变化可转换为电信号,该电信号与聚合物中的水 浓度相关并又与该聚合物周围的空气的相对湿度相关。

两种最常见的物理变化是可分别转变为电阻(resistance)变化和 电容变化的阻抗(resistance)变化和介电常数变化。但是,已发现, 作为阻性元件(component)使用的器件(element)具有存在因固有 热消散进行阻抗测量必需的器件中的电流而产生的消散效应的缺点。 结果是带来错误的读数。

近似纯电容而构成的器件避免了阻性器件的缺点。但是在电容性 器件的构成中,避免可引起对此类器件的某些构成的问题较为重要。 另外,还可存在高相对湿度所引起的不准确性,其中高水量引起因过 压而产生的问题以及因而产生的器件的元件的机械漂移。通过使器件 的元件部分变薄,已发现上述问题可避免,且电容型器件可提供极宽 范围湿度以及极宽范围的温度以及压力和其它环境变量之上的相对 湿度量的快速、准确测量。

电容感测型的湿度感测器件一般包括:湿气不敏感、非导电结构, 其中,适当电极器件与介电层或涂覆一起安装或沉积该结构上;高湿 气敏感材料,覆盖电极并设置来能够从周围大气吸收水分并达到短时 的平衡。电容性湿度传感器一般通过在衬底材料上沉积若干层材料而 制成。

设计和实现基于电容性的湿度传感器的挑战之一是面临以下困 难:而没有额外的寄生电容的条件下降低和控制此类传感器的灵敏度 到预期值,寄生电容可增加所用电容器的总大小(size)。因此,存 在对可降低和/或控制用于基于电容性湿度传感器的感测电容器的灵 敏度的改进方法和系统的需求。

发明内容

提供以下简述以促进对实施例唯一的某些发明特征的理解,且不 旨在作为全部描述。通过将整个说明书、权利要求书、附图和摘要视 为整体,可获得所公开实施例的各方面的整体评价。

因此本发明的一个方面是提供改进的湿度传感器装置及其形成 方法。

本发明的另一方面是提供改进的基于电容性的湿度传感器。

本发明的再一方面是提供用于控制和/或降低基于电容性的湿度 传感器的灵敏度的技术、装置和元件。

本发明的前述方面和其它目的及优点可如本文所述获得。公开了 湿度传感器方法和装置。一般而言,可提供衬底,在衬底上沉积多个 湿度感测元件以形成湿度传感器。每个湿度感测元件一般包括关联的 特定寄生电容。该特定寄生电容被用于降低和/或控制与湿度传感器关 联的灵敏度和总电容值,而不增加湿度传感器和/或湿度传感器元件 (例如电容器)的大小。

衬底可由硅形成。在硅衬底之上形成二氧化硅层。另外,在二氧 化硅层上形成TiW层,其中,湿气不敏感元件形成硅衬底与TiW层 之间的连接。一个或多个金层还可设置并形成在衬底之上,其中,其 它湿气不敏感元件形成硅衬底与金层之间的连接。此外,一个或多个 湿度敏感聚合物层也可形成在TiW层上;多孔铂层可配置在所述敏感 聚合物层之上,其中,湿度敏感元件形成多孔铂层和TiW层之间的连 接。一个或多个钝化层还可沉积并配置在多孔铂层和湿度敏感聚合物 层之上。

附图说明

在附图的各个视图中,相似参考标号表示相同或功能相似器件, 附图包含在说明书中并构成说明书的一部分,附图还示出了实施例并 且结合详细描述用于论述所公开实施例的原理。

图1示出了可依照优选实施例实现的湿度传感器装置的顶视图;

图2示出了图1所公开的湿度传感器装置的侧横截图;

图3示出了侧横截图,其中示出了图1-2所公开的湿度传感器装 置的各元件;

图4依照优选实施例示出了图1-3中所公开的湿度传感器的示意 图;以及

图5依照备选实施例示出了描述可为构成图1-4中所公开的装置 而实现的逻辑操作步骤的操作的高级流程图。

具体实施方式

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