[发明专利]用于拾取图像信号的像素和该像素的制造方法

权利要求书

1.一种用于拾取图像信号的像素，包括：

光电二极管，其形成于基底的上表面下，所述光电二极管包括在纵向 上互相连接的P型扩散区域和N型扩散区域；和

传输晶体管，其形成于所述基底的上表面上，沿所述基底的上表面与 所述光电二极管相邻分布；所述传输晶体管的一端为所述互相连接的P 型扩散区域和N型扩散区域，另一端为浮动扩散区域，所述传输晶体管还 包括设置在所述两端之间的栅极端；

其中，所述用于拾取图像信号的像素被由所述基底的上部贯穿至所述 基底的下部的沟槽包围，所述沟槽被绝缘体填充。

2.如权利要求1所述的像素，其特征在于：

所述光电二极管的所述P型扩散区域和N型扩散区域的位置根据基底 的形状确定。

3.如权利要求1所述的像素，其特征在于：

所述浮动扩散区域的类型不同于所述基底的类型。

4.如权利要求1所述的像素，其特征在于：

包围所述用于拾取图像信号的像素而形成的所述沟槽的一部分和填 充所述沟槽的绝缘体的一部分形成为具有从所述基底的上部开始但未贯 穿所述基底的预定深度。

5.如权利要求1所述的像素，其特征在于所述像素还包括：

扩散区域，其包括与所述基底同样类型的杂质；

接触部，其形成于所述扩散区域中；以及

金属线，其通过所述接触部电连接所述扩散区域。

6.如权利要求1所述的像素，其特征在于：

所述栅极由多晶硅制成。

7.一种权利要求1中所述的用于拾取图像信号的像素的制造方法， 该方法包括如下步骤：

在基底的上部形成所述光电二极管、所述浮动扩散区域和所述栅极；

形成完全包围所述光电二极管、所述浮动扩散区域和所述栅极的沟槽 区域，所述沟槽区域具有由所述基底的上部至所述基底的下部的第一深 度；

将所述沟槽区域的一部分形成为具有比所述第一深度更深的一个第 二深度；和

在所述沟槽区域填充绝缘体。

8.如权利要求7所述的方法，在所述沟槽区域填充绝缘体的步骤之 后，进一步包括磨削所述基底的下部以暴露出所述第二深度的步骤。

9.一种晶片，其包括多个如权利要求1所述的用于拾取图像信号的 像素。

10.如权利要求9所述的晶片，其特征在于：

包围所述用于拾取图像信号的像素的所述沟槽的一部分形成为具有 从所述基底的上部开始但并未贯穿所述基底的预定深度。

11.如权利要求9所述的晶片，其特征在于：

所述用于拾取图像信号的像素由扩散区域、接触部以及金属线形相互 电连接；其中所述扩散区域成于所述像素中；所述接触部形成于所述扩散 区中；所述金属线通过所述接触部电连接至所述扩散区域。