[发明专利]陶瓷材料中的余辉的测量和/或判断方法和检测器

权利要求书

1.Gd₂O₂S:M荧光陶瓷材料和/或所述陶瓷材料的前体材料中的余辉的测量和/或判断方法，其中M代表至少一种选自Pr、Dy、Sm、Ce、Nd和/或Ho的元素，其中，在延时光谱的帮助下，通过测量在所述荧光陶瓷材料和/或前体材料中的Eu-、Tb-和/或Yb-浓度来测量和/或判断余辉，所述延时光谱包括在波长区域≥100nm至≤300nm的至少一个波长下陶瓷材料和/或前体材料的激发，所述前体材料是指制备Gd₂O₂S材料的材料，所述延时光谱包括在时间T₀时陶瓷材料和/或前体材料的激发的结束和在时间T₁后测量的延迟的开始。

2.如权利要求1所述的方法，其中，T₁-T₀≥15μs至≤1000μs。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述延时光谱在时间T₂后停止，其中，T₂-T₁≥500ms。

4.如权利要求3所述的方法，其中，T₂-T₁≥1s。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述延时光谱包括在波长范围≥370nm至≤1100nm内测量材料的发射。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述波长范围≥600nm至≤1050nm。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述方法包括时间分辨光谱。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述时间分辨光谱包括在波长区域≥600nm至≤650nm内的至少一个波长下陶瓷材料和/或前体材料的发射，测定Eu-浓度和余辉分布，和/或

在波长区域≥930nm至≤1050nm内的至少一个波长下陶瓷材料和/或前体材料的发射，测定Yb-浓度和余辉分布，和/或

在波长区域≥370nm至≤570nm内的至少一个波长下陶瓷材料和/或前体材料的发射，测定Tb-浓度和余辉分布。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述方法包括连续激发光谱。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述连续激发光谱包括在波长区域≥600nm至≤650nm内的至少一个波长下陶瓷材料和/或前体材料的发射，测定Eu-浓度和余辉分布，和/或

在波长区域≥930nm至≤1050nm内的至少一个波长下陶瓷材料和/或前体材料的发射，测定Yb-浓度和余辉分布，和/或

在波长区域≥370nm至≤570nm内的至少一个波长下陶瓷材料和/或前体材料的发射，测定Tb-浓度和余辉分布。

11.用于测量Gd₂O₂S:M荧光陶瓷材料和/或所述陶瓷材料的前体材料中的余辉的检测器，其中M代表至少一种选自Pr、Tb、Dy、Sm、Ce和/或Ho的元素，其中，通过如权利要求1-10任一项所述的方法进行测量。

12.如权利要求11所述的检测器或如权利要求1-10任一项所述的方法的用途，其用于如下一种或多种体系：

-适于医疗成像的体系；

-用于判断Gd₂O₂S:M荧光陶瓷材料和/或前体材料的质量的体系，其中M代表至少一种选自Pr、Dy、Sm、Ce、Nd和/或Ho的元素；

-用于制备Gd₂O₂S:M荧光陶瓷材料的体系，其中M代表至少一种选自Pr、Dy、Sm、Ce、Nd和/或Ho的元素。