[发明专利]单次可编程存储单元的新结构与制造方法

权利要求书

1.一种单次可编程存储单元，其特征在于，包含：

一第一金属氧化物半导体晶体管与一第二金属氧化物半导体晶体管， 以并联方式连接，并且每个所述的晶体管都包含设置在栅极的相对两侧的 一源极与一漏极，其中该第一金属氧化物半导体晶体管与该第二金属氧化 物半导体晶体管是彼此直接相邻设置于一共同掺杂井区域上的，从而共享 一作为栅极的单一多晶硅带，并共享源极与掺杂区域来作为该第一金属氧 化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管的源极与漏极；及

所述的第一金属氧化物半导体晶体管更包含有一掺杂的漂移区域，被 所述的共同掺杂井区域所围绕，且包围环绕该第一金属氧化物半导体晶体 管的源极与漏极，使得该第一金属氧化物半导体晶体管产生不同于第二金 属氧化物半导体晶体管的临界电压。

2.如权利要求1所述的单次可编程存储单元，其特征在于：

所述的第一金属氧化物半导体晶体管的漂移区域进一步提高衬底的 掺杂浓度，用以提高该第一金属氧化物半导体晶体管的漏极附近的电场， 藉由所达到的较高的热电子产生效率而提高可编程的性能。

3.如权利要求1所述的单次可编程存储单元，其特征在于：

所述的第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体 管均为设置于一共同P型井中的N型金属氧化物半导体晶体管，且该第 一金属氧化物半导体晶体管的漂移区域更包含有一P型漂移区域。

4.如权利要求1所述的单次可编程存储单元，其特征在于：

所述的第一金属氧化物半导体晶体管的漂移区域是沿沟道宽度方向 扩散到位于源极与漏极之间的沟道区域，以反向掺杂轻微掺杂漏极区域， 并通过漂移区域在到达第二金属氧化物半导体晶体管之前中止，而在源极 与漏极的底部区域中构成逐渐减少的掺杂浓度分布。

5.如权利要求1所述的单次可编程存储单元，其特征在于，更包含：

一第三金属氧化物半导体晶体管，其和第一金属氧化物半导体晶体管 以及第二金属氧化物半导体晶体管具有互补的极性，并通过单一多晶硅带 和第一金属氧化物半导体晶体管以及第二金属氧化物半导体晶体管连接； 其中第三金属氧化物半导体晶体管更包含源极、漏极与主体，且所述的源 极、漏极与主体均予以相互连接，从而作为通过单一多晶硅带连接到第一 金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管的电容。

6.如权利要求1所述的单次可编程存储单元，其特征在于，更包含：

一第三金属氧化物半导体晶体管，其和第一金属氧化物半导体晶体管 以及第二金属氧化物半导体晶体管具有互补的极性，并通过单一多晶硅带 和第一金属氧化物半导体晶体管以及第二金属氧化物半导体晶体管连接； 其中第三金属氧化物半导体晶体管更包含源极、漏极与主体，且所述的源 极、漏极与主体均予以相互连接，从而作为通过单一多晶硅带连接到第一 金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管的电容；以及

所述的第一金属氧化物半导体晶体管的漂移区域用以形成具有互补 极性的第三金属氧化物半导体晶体管的漏极与源极。

7.如权利要求1所述的单次可编程存储单元，其特征在于：

所述的第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体 管均为设置于共同P型井中的N型金属氧化物半导体晶体管，且第一金 属氧化物半导体晶体管的漂移区域更包含有P型漂移区域；以及

所述的单次可编程存储单元更包含一第三金属氧化物半导体晶体管， 其和第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管通过 单一多晶硅带加以连接，其中第三金属氧化物半导体晶体管更包含源极、 漏极与主体，且该源极、漏极与主体皆予以互相连接，从而作为通过单一 多晶硅带连接到第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体 晶体管的电容；以及

所述的第一N-金属氧化物半导体晶体管的P型漂移区域用以形成第 三金属氧化物半导体晶体管的漏极与源极。