[发明专利]用于监视DWDM发射器阵列的光栅抽头方法和系统

权利要求书

1.一种集成DWDM发射器装置，该装置包括：

硅基二氧化硅基片，该硅基二氧化硅基片包括二氧化硅层和硅层，该硅基二氧化硅基片具有凹进区域；

多个输入波导，所述多个输入波导处于所述二氧化硅层中；

多个光栅，所述多个光栅处于所述二氧化硅层中，是在芯区上的包裹区域的一部分中形成的，所述多个光栅的每一个耦合到所述输入波导中对应的一个；

阵列波导光栅，阵列波导光栅处于所述二氧化硅层中并且耦合到所述多个输入波导；

至少一个输出波导，所述至少一个输出波导处于所述二氧化硅层中并且耦合到所述阵列波导光栅；

多个激光器，所述多个激光器处于所述硅基二氧化硅基片凹进区域中，所述多个激光器的每一个光耦合到所述多个输入波导中对应的一个；以及

多个光电二极管，所述多个光电二极管的每一个在所述多个光栅中对应的一个之上，

其中所述二氧化硅层中输入波导的每一个包括包裹区域包围的芯区，所述芯区的折射指数高于所述包裹区域的折射指数，

其中所述多个光栅的每一个包括所述包裹区域一部分中的多个光栅元件，选择所述多个光栅元件的间距来在相对于所述芯区的轴90度处提供最大衍射功率，同时避免后向反射，

其中输入波导的第一波长λ₁和第二波长λ₂之间的带内的DWDM波长，从和之间的范围以外选择所述多个光栅的每一个里光栅元件的间距，其中n是所述波导的折射指数，m是一个整数。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述多个光栅的每一个包括所述包裹区域中的多个衍射区域，其特征在于，所述多个衍射区域的折射指数不同于所述包裹区域的折射指数。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述包裹区域包括未掺杂二氧化硅，所述衍射区域包括掺杂二氧化硅。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述芯区包括掺杂二氧化硅，所述包裹区域包括未掺杂二氧化硅。

5.一种集成DWDM发射器装置，该装置包括：

硅基二氧化硅基片，该硅基二氧化硅基片包括二氧化硅层和硅层，该硅基二氧化硅基片具有凹进区域；

多个输入波导，所述多个输入波导处于所述二氧化硅层中，所述输入波导的每一个包括包裹区域包围的芯区，所述芯区的折射指数高于所述包裹区域的折射指数；

多个光栅，所述多个光栅处于所述二氧化硅层中，所述多个光栅的每一个耦合到所述输入波导中对应的一个，所述多个光栅的每一个放置在所述芯区上的所述包裹区域的一部分中；

阵列波导光栅，所述阵列波导光栅处于所述二氧化硅层中并且耦合到所述多个输入波导；

至少一个输出波导，所述至少一个输出波导处于所述二氧化硅层中并且耦合到所述阵列波导光栅；

多个激光器，所述多个激光器处于所述硅基二氧化硅基片的凹进区域中放置，所述激光器的每一个光耦合到所述多个输入波导中对应的一个；以及

多个光电二极管，所述多个光电二极管的每一个在所述多个光栅中对应的一个之上，

其中所述多个光栅的每一个包括所述包裹区域一部分中的多个光栅元件，选择所述多个光栅元件的间距来在相对于所述芯区的轴90度处提供最大衍射功率，同时避免后向反射，

其中输入波导的第一波长λ₁和第二波长λ₂之间的带内的DWDM波长，从和之间的范围以外选择所述多个光栅的每一个里光栅元件的间距，其中n是所述波导的折射指数，m是一个整数。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述多个光栅的每一个包括所述包裹区域中的多个衍射区域，其特征在于，所述多个衍射区域的折射指数不同于所述包裹区域的折射指数。

7.如权利要求6所述的装置，其中所述包裹区域包括未掺杂二氧化硅，所述衍射区域包括掺杂二氧化硅。