[发明专利]用于光学特征化基片掺杂的方法和设备

权利要求书

1.一种光学特征化方法，包括步骤：利用从光源发射出的反射光束，评估基片(SUB)的掺杂，所述方法是利用设备实施的，该设备包括：

所述光源(LAS)，沿入射轴产生入射光束(I)；

第一检测器(DET1，DET2)，用于测量沿反射轴的所述反射光束(R)的功率；所述入射轴和反射轴相交在测量点上，并形成非零的测量角(2θ)；和

偏振器(POL)，设置在入射光束(I)的路径上；

其特征在于，所述光源(LAS)是单色的。

2.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述偏振器(POL)是这样安排的，使入射光束(I)是在入射光束(I)和反射光束(R)限定的入射平面上的横向磁模。

3.按照权利要求1或权利要求2的方法，其特征在于，所述设备包含差分放大器(AMP)，在它的输入端接收参考信号(V₀)和源自所述检测器(DET1，DET2)的检测信号(V_d)，以产生测量信号(V_m)。

4.按照权利要求3的方法，其特征在于，所述参考信号(V₀)源自给出预定电压的参考源。

5.按照权利要求3的方法，其特征在于，当所述设备包含第二检测器(DET2)以测量所述入射光束(I)的功率时，所述参考信号(V₀)源自所述第二检测器(DET2)。

6.按照以上任何一个权利要求的方法，其特征在于，当该设备适合于被提供以给出标称掺杂的硅基片(SUB)时，所述光源(LAS)的波长对应于非掺杂基片与有所述标称掺杂的基片之间反射率差的相对最大值。

7.按照权利要求6的方法，其特征在于，所述波长包含在包括下列范围的组中的一个范围内：400-450nm的范围；300-350nm的范围；和225-280nm的范围。

8.按照以上任何一个权利要求的方法，其特征在于，由于入射角(θ)等于所述测量角的一半，所述入射角等于在正或负5度范围内的布鲁斯特入射角。

9.一种离子注入装置，其特征在于，它包含按照以上任何一个权利要求的设备。