[发明专利]具有可变光学和/或能量性能的玻璃板类型电化学和/或可电控装置

权利要求书

1.结构为TC1/EC1/EL/EC2/TC2的“全固体”电致变色类型的具 有可变光学和/或能量性能的电化学/可电控的装置，该装置包括至少 一个被提供有第一导电层的载带基材，第一电活性层，其中该电活性 层能可逆地嵌入离子，其由阳极电致变色材料制成，电解质层，第二 电活性层，其中该电活性层能够可逆地嵌入所述离子，其由阴极电致 变色材料制成，第二导电层，特征在于上述能可逆地嵌入所述离子的 由阳极或阴极电致变色材料制成的电活性层的至少一层包含足够的 厚度，以便可以嵌入所有上述离子而不使所述活性层的电化学功能不 良，和特征在于电解质层包括至少一层基于选自以下物质的层：氧化 钽、氧化钨、氧化钼、氧化锑、氧化铌、氧化铬、氧化钴、氧化钛、 氧化锡、氧化镍、任选地与铝熔合的锌氧化物、氧化锆、氧化铝、任 选地与铝熔合的硅氧化物、任选地与铝或硼熔合的硅氮化物、氮化硼、 氮化铝、任选地与铝熔合的钒氧化物、氧化锡和氧化锌，这些氧化物 中的至少一种任选地进行氢化或氮化，和特征在于每个电活性层EC1 或EC2含有至少一种下述化合物：钨W、铌Nb、锡Sn、铋Bi、钒V、 镍Ni、铱Ir、锑Sb、钽Ta的氧化物，这些氧化物是单一或混合的， 并任选地含有其他金属，其中，其他金属是钛、铼或钴，和特征在于 层EC1的厚度为70-250nm，

其中层EC2的厚度为400-1500nm，

其中在所述装置的工作周期期间交换的电荷量为 25mC/cm²-80mC/cm²。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于层EC2的厚度为 700-1300nm。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于导电层TC1或TC2 是金属类型的或是由In₂O₃:Sn(ITO)、SnO₂:F、ZnO:Al制成的TCO(透 明导电氧化物)类型的，或者是TCO/金属/TCO类型的多层，或者是 NiCr/金属/NiCr类型的多层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于得到的反 差值为9-10000。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述嵌入离子是阳离子或阴离子。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述阳离子是H+或Li+。

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述阴离子是OH^-。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述层EC1的厚度为 150-220nm。

9.根据权利要求2所述的装置，其中所述层EC2的厚度为 800-1200nm。

10.根据权利要求3所述的装置，其中所述TCO/金属/TCO类型 的多层或者是NiCr/金属/NiCr类型的多层中的该金属选自银、金、铂 和铜。

11.根据权利要求4所述的装置，其中得到的反差值为15-4000。

12.电致变色玻璃板，其特征在于它包括根据上述权利要求中任 一项所述的电化学装置，其中所述基材或一个或多个透明或部分透明 的基材的至少一部分由塑料材料制成，其中所述电化学装置具有可变 的光和/或能量的透射和/或反射。

13.根据权利要求12所述的电致变色玻璃板，其中该玻璃板以多 层和/或层压玻璃板或以双层玻璃板方式进行装配。

14.根据权利要求1-3中任一项所述的电化学装置的生产方法， 其特征在于采用下述技术沉积该电化学装置中的层的至少一层：通过 使用真空的任选地采用磁场增强的阴极溅射类型的技术、通过热蒸发 或通过采用电子束增强的热蒸发、通过激光烧蚀、通过任选地采用等 离子或微波增强的CVD或大气压技术。

15.根据权利要求14的生产方法，其中采用下述技术沉积该电化 学装置中的层的至少一层：通过溶胶-凝胶合成的层沉积。