[发明专利]电化学能源以及用于制造这样的电化学能源的方法无效
| 申请号: | 200780028397.3 | 申请日: | 2007-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN101496195A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
| 发明(设计)人: | R·A·H·尼森;P·H·L·诺滕;R·H·W·皮南伯格;J·H·G·奥普赫特维尔德 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01M2/10 | 分类号: | H01M2/10;H01M10/40;H01M4/38;H01M6/18;H01M10/42;H01M6/40 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 龚海军;谭祐祥 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电化学 能源 以及 用于 制造 这样 方法 | ||
1.电化学能源,包括:
-衬底,以及
-沉积到所述衬底上的至少一个叠层,该叠层包括:
-阳极,
-阴极,以及
-分隔所述阳极和所述阴极的中间固态电解质;以及
-沉积在所述衬底和所述阳极之间的至少一个导电阻挡层,所述阻挡层适合于至少基本上防止叠层的活性物质扩散到所述衬底中,
其特征在于,电化学能源进一步包括沉积于衬底和阻挡层之间的至少一个吸收体层,用于吸收已通过阻挡层而扩散的活性物质。
2.根据权利要求1的电化学能源,其特征在于,至少一个吸收体层包括至少一种金属。
3.根据权利要求2的电化学能源,其特征在于,至少一个吸收体层包括以下金属中的至少一种:Sb、Bi、Sn、Ga、Cd、Pb和In。
4.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,至少一个吸收体层包括至少一种氧化物。
5.根据权利要求4的电化学能源,其特征在于,所述包括氧化物的吸收体层包括以下氧化物中的至少一种:SiO2、GeO2、Al2O3和Zr2O5。
6.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,至少一个导电层沉积在衬底和至少一个吸收体层之间。
7.根据权利要求6的电化学能源,其特征在于,所述导电层包括以下金属中的至少一种:Ta、Au、Ag和Ti。
8.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,至少一个阻挡层沉积在衬底和至少一个吸收体层之间,该阻挡层适合于至少基本上防止叠层的活性物质扩散到所述衬底中。
9.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,该电化学能源包括在所述衬底和所述阻挡层之间沉积的多个吸收体层的叠层。
10.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,该电化学能源包括用于跨越至少一个吸收体层产生电场的装置。
11.根据权利要求6或7以及权利要求10的电化学能源,其特征在于,所述用于跨越至少一个吸收体层产生电场的装置连接到包围所述吸收体层的两导电层上。
12.根据权利要求10或11的电化学能源,其特征在于,跨越其上产生电场的所述至少一个吸收体层包括至少一种氧化物。
13.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,至少一个阻挡层由以下材料中的至少一种制成:Ta、TaN、Ti和TiN。
14.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,至少一个电极适合于存储以下元素中的至少一种的离子:H、Li、Be、Mg、Cu、Ag、Na和K。
15.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,阳极和/或阴极由以下材料中的至少一种制成:C、Sn、Ge、Pb、Zn、Bi、Sb、以及优选掺杂的硅。
16.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,所述叠层进一步包括分别电连接到阳极和阴极的分离的集电器。
17.根据前述权利要求之一的电化学能源,其特征在于,衬底包括Si。
18.电子组件,包括至少一个根据权利要求1-17之一的电化学能源,其中至少一个电子部件至少部分地嵌入到所述电化学能源的衬底中。
19.根据权利要求18的电子组件,其特征在于,衬底设有至少一个集成电路(IC)。
20.用于制造根据权利要求1-17之一的电化学能源的方法,包括以下步骤:
A)将至少一个导电阻挡层沉积到衬底上,以及
B)将阳极、固态电解质和阴极的至少一个叠层沉积到所述导电阻挡层上,
其特征在于,该方法进一步包括:
步骤C),该步骤C)包括在执行步骤A)之前将至少一个吸收体层沉积到所述衬底上,其中导电阻挡层沉积到所述吸收体层上。
21.根据权利要求20的方法,其特征在于,在步骤C)期间,多个吸收体层的叠层沉积到所述衬底上。
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