[发明专利]衬底处理方法、程序、计算机可读的存储介质以及衬底处理系统有效
| 申请号: | 200780028343.7 | 申请日: | 2007-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN101496140A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
| 发明(设计)人: | 山田善章;山口忠之;山本雄一;杂贺康仁;泽井和夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王 岳;蒋 骏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 方法 程序 计算机 可读 存储 介质 以及 系统 | ||
1.一种衬底处理方法,其在位于衬底正表面上方的相同层中的要 被加工的膜上执行多次图形化,所述方法包括下述步骤:
执行第一次图形化;
测量由第一次图形化所形成的图形尺寸;
基于第一次图形化的尺寸测量结果来设置第二次以及随后次数的 图形化的条件,使得在第一次图形的实际尺寸与第一次图形化的目标尺 寸之间的差等于在第二次和随后次数的图形实际尺寸与第二次图形化 的目标尺寸之间的差;以及
在所设置的图形化条件下执行第二次以及随后次数的图形化。
2.如权利要求1所述的衬底处理方法,
其中使用第一次图形化的尺寸测量结果来设置第二次以及随后次 数的图形化的条件使得第二次和随后次数的图形实际尺寸变为预先设 置的目标尺寸。
3.如权利要求1所述的衬底处理方法,
其中预先获得在当前条件设置情况下执行图形化时的第一次图形 的实际尺寸与其目标尺寸之间的差与第二次和随后次数的图形尺寸与 其目标尺寸之间的差之间的相关性,并且基于第一次图形化的尺寸测量 结果和相关性来设置第二次和随后次数的图形化的条件。
4.如权利要求1所述的衬底处理方法,
其中通过改变在曝光处理之后且在显影操作之前执行的加热处理 的条件来执行第二次和随后次数的图形化条件的所述设置。
5.如权利要求1所述的衬底处理方法,
其中通过改变曝光处理的条件来执行第二次和随后次数的图形化 条件的所述设置。
6.如权利要求1所述的衬底处理方法,
其中通过改变显影操作的条件来执行第二次和随后次数的图形化 条件的所述设置。
7.如权利要求1所述的衬底处理方法,
其中该衬底被划分为多个区域,并且在这多个区域中的每一个中在 要被加工的膜上执行图形化。
8.如权利要求1所述的衬底处理方法,
其中在衬底的正表面上相同区域中要被加工的膜上多次重复地执 行图形化。
9.一种衬底处理系统,用于在位于衬底正表面上方的相同层中的 要被加工的膜上执行多次图形化,所述系统包括:
尺寸测量单元,其用于测量由第一次图形化所形成的图形尺寸;以 及
控制单元,其用于基于第一次图形化的尺寸测量结果来设置第二次 以及随后次数的图形化的条件,使得在第一次图形的实际尺寸与第一次 图形化的目标尺寸之间的差等于在第二次和随后次数的图形实际尺寸 与第二次图形化的目标尺寸之间的差。
10.如权利要求9所述的衬底处理系统,
其中所述控制单元使用第一次图形化的尺寸测量结果来设置其它 次的图形化的条件使得第二次和随后次数的图形尺寸变成预先设置的 目标尺寸。
11.如权利要求9所述的衬底处理系统,
其中所述控制单元基于在当前条件设置情况下执行图形化时第一 次图形的实际尺寸与其目标尺寸之间的差与第二次和随后次数的图形 尺寸与其目标尺寸之间的差之间的相关性,并且基于第一次图形化的尺 寸测量结果来设置第二次和随后次数的图形化的条件。
12.如权利要求9所述的衬底处理系统,
其中通过改变在曝光处理之后且在显影操作之前执行的加热处理 的条件来执行第二次和随后次数的图形化条件的设置。
13.如权利要求9所述的衬底处理系统,
其中通过改变曝光处理的条件来执行第二次和随后次数的图形化 条件的设置。
14.如权利要求9所述的衬底处理系统,
其中通过改变显影操作的条件来执行第二次和随后次数的图形化 条件的设置。
15.如权利要求9所述的衬底处理系统,
其中该衬底被划分为多个区域,并且在这多个区域中的每一个中在 要被加工的膜上执行图形化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





