[发明专利]压电物质、压电元件及使用压电元件的液体排出头和液体排出设备

权利要求书

1.一种压电物质，其由ABO₃制成的钙钛矿型结构的氧化物制 成，其中A的主要组分是Pb，B的主要组分含有Nb、Mg、Zn、Sc、 Cd、Ni、Mn、Co、Yb、In以及Fe中的至少两种元素以及Ti，其特 征在于所述压电物质是具有四方晶的a晶畴和c晶畴的单轴取向晶体 或单晶体，

其中，晶体相具有赝立方晶、菱面体晶以及单斜晶中的任一个以 及四方晶；以及

其中，所述氧化物由(Pb_k，α_l)_x(Mg_m，Nb_n，Ti_o，β_p)_yO₃表示，其中 满足1≤x/y＜1.5，k+l＝1，0.7≤k≤1，0≤l≤0.3，m+n+o+p＝1， 0.1＜m＜0.3，0.3＜n＜0.5，0.2＜o＜0.4以及0≤p＜0.3，α含有从La、 Ca、Ba、Sr、Bi以及Sb中选择的任何一种元素，β含有从Pb、Sc、 In、Yb、Ni、Ta、Co、W、Fe以及Sn中选择的任何一种元素。

2.一种压电物质，其由ABO₃制成的钙钛矿型结构的氧化物制 成，其中A的主要组分是Pb，B的主要组分含有Nb、Mg、Zn、Sc、 Cd、Ni、Mn、Co、Yb、In以及Fe中的至少两种元素以及Ti，其特 征在于所述压电物质是具有四方晶的a晶畴和c晶畴的单轴取向晶体 或单晶体，

其中，晶体相具有赝立方晶、菱面体晶以及单斜晶中的任一个以 及四方晶；以及

其中，所述氧化物由(Pb_k，α_l)_x(Sc_m，Nb_n，Ti_o，β_p)_yO₃表示，其中， 满足1≤x/y＜1.5，k+l＝1，0.7≤k≤1，0 ≤ l≤0.3，m+n+o+p＝1， 0.1＜m＜0.4，0.1＜n＜0.4，0.3＜o＜0.5以及0≤p＜0.3，α含有从La、 Ca、Ba、Sr、Bi以及Sb中选择的任何一种元素，β含有从Pb、Ta、 In、Yb、Mg、Ni、Co、W、Fe以及Sn中选择的任何一种元素。

3.一种压电物质，其由ABO₃制成的钙钛矿型结构的氧化物制 成，其中A的主要组分是Pb，B的主要组分含有Nb、Mg、Zn、Sc、 Cd、Ni、Mn、Co、Yb、In以及Fe中的至少两种元素以及Ti，其特 征在于所述压电物质是具有四方晶的a晶畴和c晶畴的单轴取向晶体 或单晶体，

其中，晶体相具有赝立方晶、菱面体晶以及单斜晶中的任一个以 及四方晶；以及

其中，所述氧化物由(Pb_k，α_l)_x(Zn_m，Nb_n，Ti_o，β_p)_yO₃表示，其中， 满足1≤x/y＜1.5，k+l＝1，0.7≤k≤1，0≤l≤0.3，m+n+o+p＝1， 0.2＜m＜0.4，0.5＜n＜0.7，0.05＜o＜0.2，以及0≤p＜0.3，α含有从 La、Ca、Ba、Sr、Bi以及Sb中选择的任何一种元素，β含有从Pb、 Sc、In、Yb、Ni、Ta、Co、W、Fe、Sn以及Mg中选择的任何一种 元素。

4.一种压电物质，其由ABO₃制成的钙钛矿型结构的氧化物制 成，其中A的主要组分是Pb，B的主要组分含有Nb、Mg、Zn、Sc、 Cd、Ni、Mn、Co、Yb、In以及Fe中的至少两种元素以及Ti，其特 征在于所述压电物质是具有四方晶的a晶畴和c晶畴的单轴取向晶体 或单晶体，

其中，晶体相具有赝立方晶、菱面体晶以及单斜晶中的任一个以 及四方晶；以及

其中，所述a晶畴和c晶畴的至少一部分具有孪晶的镜像关系， 该孪晶的N0N面被构成双面，其中N是整数。