[发明专利]涂布液、使用涂布液形成的导电性薄膜及其形成方法无效

专利信息
申请号: 200780026522.7 申请日: 2007-01-31
公开(公告)号: CN101490309A 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: 克里斯托弗·科多尼尔;志知哲也;沼田贵史;胜又健一;仲村亮正;胜又靖博;小峰辉男;雨宫健一郎;山下诚;藤嶋昭 申请(专利权)人: 东海旅客铁道株式会社
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;B05D7/24;C01B13/14;C01G15/00;C01G19/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 涂布液 使用 形成 导电性 薄膜 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种用于形成导电性薄膜的涂布液,其由溶剂和化学式1表示的配 位体与铟(In)、或者与铟(In)和锡(Sn)两者反应而得到的有机金属络合物组 成,

化学式1:

化学式1表示的配位体是邻苯二酚、苯二胺、2-氨基苯酚、2-氨基苯硫 酚、邻氨基苯甲酸、水杨酸或硫代水杨酸,且涂布液中含有0.1M~0.8M的 上述有机金属络合物。

2.权利要求1所述的涂布液,其中化学式1表示的配位体与铟(In)反 应而得到的有机金属络合物是化学式2表示的有机金属络合物,

化学式2:

化学式2中的配位体是邻苯二酚、苯二胺、2-氨基苯酚、2-氨基苯硫酚、 邻氨基苯甲酸、水杨酸或硫代水杨酸。

3.一种形成导电性薄膜的方法,其包括将权利要求1或2所述的涂布 液涂布在基体表面上以形成涂膜,并在350~1000℃的温度对该涂膜进行烧 制,由此使上述涂膜中含有的选自上述有机金属络合物中的至少一种有机 金属络合物成为导电性薄膜。

4.权利要求3所述的形成导电性薄膜的方法,其中,上述烧制是在空 气或者还原性氛围中进行的。

5.权利要求4所述的形成导电性薄膜的方法,其中,上述烧制的温度 为700℃~1000℃。

6.一种导电性薄膜,其是通过权利要求3~5中任一项所述的形成的导 电性薄膜的方法形成的。

7.一种导电性薄膜覆盖的产品,其包括:基体;和在上述基体表面上 形成的权利要求6所述的导电性薄膜。

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