[发明专利]非易失性半导体存储器及其驱动方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器，其中，从衬底侧顺次形成源极区域、沟道区域和漏极区域并具有隔着栅极绝缘膜而形成于所述沟道区域的外侧的电荷蓄积层以及隔着绝缘层以覆盖该电荷蓄积层的方式形成于该电荷蓄积层的外侧的控制栅极的存储单元，以n行m列的阵列状而配置于所述衬底上，该非易失性半导体存储器包含：

多条第一源极线，其以将排列于所述阵列的列方向的存储单元的源极区域相互连接的方式而布线于列方向；

多条平行的比特线，其以将排列于所述列方向的存储单元的漏极区域相互连接的方式，在与所述第一源极线不同层中布线于列方向；

多条栅极线，其以将排列于与所述列方向实质上垂直的行方向的存储单元的控制栅极相互连接的方式而布线于行方向；以及

第二源极线，其由相互连接所述第一源极线的金属所形成，并针对所述阵列的每p行各布线1行，其中，p＜n。

2.一种非易失性半导体存储器，其中，从衬底侧顺次形成源极区域、沟道区域和漏极区域并具有隔着栅极绝缘膜而形成于所述沟道区域的外侧的电荷蓄积层以及隔着绝缘层以覆盖该电荷蓄积层的方式而形成于该电荷蓄积层的外侧的控制栅极的存储单元，以n行m列的阵列状配置于所述衬底上，该非易失性半导体存储器包含：

第一共用扩散源极线，其以将分别排列于所述阵列的行及列方向的存储单元的源极区域相互连接的方式布线；

多条平行的比特线，其以将排列于所述列方向的存储单元的漏极区域相互连接的方式，在与所述第一共用扩散源极线不同层中布线于列方向；

多条栅极线，其以排列于与所述列方向实质上垂直的行方向的存储单元的控制栅极相互连接的方式布线于行方向；以及

第二源极线，其由连接所述第一共用扩散源极线的金属所形成，且针对所述阵列的每p行各布线1行，其中，p＜n。

3.一种向非易失性半导体存储器写入的方法，是向权利要求1或2所述的非易失性半导体存储器写入的方法，包括：

对所选择的比特线施加0V或正的第一电压，对非选择的比特线施加0V，对所选择的栅极线施加正的第二电压，对非选择的栅极线施加0V，对第一源极线或第一共用扩散源极线以及第二源极线施加0V，从而利用热电子对所选择的存储单元进行向电荷蓄积层的电荷注入。

4.一种从非易失性半导体存储器读取的方法，是从权利要求1或2所述的非易失性半导体存储器读取的方法，包括：

对所选择的栅极线施加正的第一电压，对非选择的栅极线施加0V，对第一源极线或第一共用扩散源极线以及第二源极线施加0V，对所选择的比特线施加正的第二电压，从而读取所选择的存储单元。

5.一种非易失性半导体存储器的擦除方法，是权利要求1或2所述的非易失性半导体存储器的擦除方法，包括：

对比特线、第一源极线或第一共用扩散源极线、以及第二源极线施加正的第一电压，对栅极线施加0V，从而利用FN隧道电流从所有的存储单元的电荷蓄积层放出电荷。

6.一种非易失性半导体存储器的擦除方法，是权利要求1或2所述的非易失性半导体存储器的擦除方法，包括：

对比特线、第一源极线或第一共用扩散源极线、以及第二源极线施加正的第一电压，对所选择的栅极线施加0V，对非选择的栅极线施加正的第二电压，从而利用FN隧道电流从与所选择的控制栅极线相连接的存储单元的电荷蓄积层放出电荷。