[发明专利]发光晶体结构

权利要求书

1.一种设备，包括：

包括III族氮化物以及位于n型和p型III族氮化物之间的结的结构，该结构具有棱锥形或楔形形状。

2.如权利要求1所述的设备，其中该结包括具有III族氮化物的量子阱。

3.如权利要求2所述的设备，其中该量子阱具有量子阱层和势垒层，该量子阱层插入在势垒层之间，其中该量子阱层包括一个III族氮化物，该势垒层包括另一个III族氮化物。

4.如权利要求3所述的设备，其中该量子阱层的一个III族氮化物包括镓铟合金或镓铝合金，该势垒层的另一个III族氮化物包括氮化镓。

5.如权利要求1所述的设备，其中该结构具有楔形形状。

6.如权利要求1所述的设备，其中该结构具有棱锥形状。

7.一种设备，包括：

在衬底上的发光晶体结构，该结构具有n型和p型势垒区以及位于它们之间的结，该结被设置在该n型和p型势垒区的一个或多个表面上，该表面相对于该衬底的平坦表面倾斜。

8.如权利要求7所述的设备，其中该倾斜表面相对于该衬底的水平表面形成大约在55到65o之间的角。

9.一直制造设备的方法，包括：

形成发光晶体结构，包括：

在衬底上形成第一势垒区，该第一势垒区具有一个或多个相对于该衬底的平坦表面倾斜的表面；和

在该第一势垒区上方形成第二势垒区以在该倾斜表面上形成结，其中该第一势垒区包括n型或p型半导体晶体中的一个，该第二势垒区包括该n型或p型半导体晶体中的另一个。

10.如权利要求9所述的方法，其中该第一势垒区包括：设置在该衬底上的种子势垒层上方的M极性表面，以及设置在该包括蓝宝石的衬底上的N极性表面，其中该种子势垒层包括A1N层，该倾斜表面是通过湿法蚀刻该第一势垒区的N极性表面而形成。