[发明专利]反射型编码器、其标尺以及标尺的制造方法有效
申请号: | 200780024862.6 | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101484780A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 夜久亨;富永淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社三丰 |
主分类号: | G01D5/30 | 分类号: | G01D5/30 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 编码器 标尺 以及 制造 方法 | ||
1.一种反射型编码器,具有光源、形成有来自该光源的光所照射的多个图形的标尺、以及分别接收由上述多个图形各自反射的光的受光元件,由单个标尺得到多个受光信号,其特征在于,
在上述标尺的单一轨道上,使用电介质形成厚度不同的多个图形,并且
根据电介质厚度差而从上述光源照射明暗不同的多个波长的光,
得到每个电介质厚度的受光信号。
2.根据权利要求1所述的反射型编码器,其特征在于,
以反射光在第一厚度的电介质层发生衰减后的第一光波长检测第一图形,并且以反射光在第二厚度的电介质层发生衰减后的第二光波长检测第二图形。
3.根据权利要求2所述的反射型编码器,其特征在于,
电介质层的上述第一厚度进行如下设定:采用上述第一光波长时,来自电介质层的光量最低,并且采用第二光波长时,来自电介质层的光量为最大。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的反射型编码器,其特征在于,
上述多个图形是增量图形和ABS图形。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的反射型编码器,其特征在于,
上述电介质是氧化硅。
6.根据权利要求5所述的反射型编码器,其特征在于,
上述电介质的厚度为430nm和330nm,上述光源的波长为880nm和660nm。
7.根据权利要求4所述的反射型编码器,其特征在于,
检测上述增量图形的上述受光元件的检测中心轴线、与检测上述ABS图形的上述受光元件的检测中心轴线在测量轴线上重合。
8.一种反射型编码器的标尺,其特征在于,
使用电介质,在标尺的单一轨道的光反射层上形成厚度不同的多个图形。
9.一种标尺的制造方法,其特征在于,
使用电介质,在标尺的单一轨道上形成厚度不同的多个图形时,
在标尺基板上使光反射层成膜,
在光反射层上以第一高度使电介质层成膜,
在电介质层上使第一抗蚀图形成膜并形成图形,
蚀刻该第一抗蚀图形开口部的电介质层直到第二高度为止,
在电介质层上使第二抗蚀图形成膜并形成图形,
蚀刻该第二抗蚀图形开口部的电介质层,
除去该第二抗蚀图形。
10.一种标尺的制造方法,其特征在于,
使用电介质,在标尺的单一轨道上形成厚度不同的多个图形时,
在标尺基板上使光反射层成膜,
在光反射层上使第一抗蚀图形成膜并形成图形,
在该第一抗蚀图形的开口部剥离出第二高度的电介质层,
除去该第一抗蚀图形,
在除去了该第一抗蚀图形的光反射层和电介质层上使第二抗蚀图形成膜并形成图形,
在该第二抗蚀图形的开口部上剥离出第一高度的电介质层,
除去该第二抗蚀图形。
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