[发明专利]电路基板、电子器件配置及用于电路基板的制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路基板、电子器件配置以及用于电路基板的制 造工艺，尤其涉及一种具有内置功能元件的电路基板、设有电路基板 的电子器件配置以及用于电路基板的制造工艺。

背景技术

近来，随着功能元件的高性能化和小型化，布线密度的密度增长 已成为安装功能元件的电路基板中的关键技术问题。

例如，在专利文献1中公开了一种技术，其中，具有空腔的绝缘层 形成在金属板上以装配作为功能元件的半导体元件，该半导体元件安 装在金属板上并且它的设有电极端子的有源面朝上，即所谓的面朝上 型，之后，使用感光树脂通过半加成法来形成构建布线层中的至少一 层，从而形成IC(集成电路)封装。

此外，例如，在专利文献2中公开了另一种技术，其中，具有本领 域称为凸点的突起电极的半导体元件和具有与半导体元件的突起电极 相对应的突起部分的模型基板(pattern substrate)以面对面的形式层叠， 树脂流入到半导体元件和模型基板之间的间隙中，之后焊球形成在微 凹中，该微凹形成在突起电极的上部处的树脂中，该突起电极通过在 树脂固化后去除模型基板而获得，从而形成半导体封装。

而且，例如，在专利文献3中公开了又一种技术，其中，BGA(球 栅阵列)的电极焊盘预先形成在金属型板(metallic pattern plate)上， 半导体元件被倒装芯片连接在构建导电布线上，一些底部填充树脂流 入到该元件中，与半导体元件连接的基板由成型树脂密封，之后BGA 的电极焊盘通过去除金属型板而暴露，从而形成半导体封装。

而且，例如，在专利文献4中公开了又一种技术，其中，在半导体 元件通过倒装芯片等连接到电路基板后，连接该半导体元件的基板和 设有空腔和填充有导电膏的穿透通孔(through-via)的电路基板等被交 替层叠，之后焊球形成在最下层的基板上，从而形成层叠的半导体封 装。

而且，例如，在专利文献5中公开了又一种技术，其中，在下层的 半导体元件和上层的半导体元件顺次层叠在封装基板上的情况下，上 层的半导体元件和封装基板通过引线键合而连接并且由树脂密封，之 后间隔芯片(spacer chip)被置于下层的半导体元件和上层的半导体元 件之间，多个贯通孔(via hole)和连接布线层被提供在间隔芯片中， 并且下层的半导体元件的布线组和上层的半导体元件的相应的布线组 通过这些贯通孔和连接布线层以倒装芯片连接而形成。

而且，例如，在专利文献6-10中公开了又一种技术，其中，凹部 形成在芯基板(core substrate)上，半导体元件安装在凹部中并且它的 具有电极端子的有源面朝上，即所谓的使用接合剂的面朝上型，之后 布线层被层叠在半导体元件的电极端子上，从而直接通过贯通孔执行 封装布线。

而且，在专利文献11中公开了又一种技术，其中，穿透通孔形成 在芯基板上，半导体元件容纳成使得它的具有电极端子的有源面朝上， 热沉直接连接到半导体元件的背面侧，之后布线层被构建在半导体元 件的电极端子上，从而直接通过贯通孔执行封装布线，并且公开又一 种技术，其中IC芯片容纳在多层印刷布线板内。

[专利文献1]日本专利特开平11-233678号公报

[专利文献2]日本专利特开2002-359324号公报

[专利文献3]日本专利特开2003-229512号公报

[专利文献4]日本专利特开2002-064178号公报

[专利文献5]日本专利特开2005-217205号公报

[专利文献6]日本专利特开2001-332863号公报

[专利文献7]日本专利特开2001-339165号公报

[专利文献8]日本专利特开2002-084074号公报

[专利文献9]日本专利特开2002-170840号公报

[专利文献10]日本专利特开2002-246504号公报

[专利文献11]日本专利特开2001-352174号公报

发明内容

本发明要解决的问题

然而，在上述现有技术中，存在如下一些问题。