[发明专利]导电性材料的制造方法

权利要求书

1.一种导电性材料的制造方法，该导电性材料中于支撑体上具有含 有银的导电性图案，其特征在于，

使下述(I)～(IV)中的至少一种作用于设置在支撑体上的含有银的 图案部位：

(I)还原性物质

(II)水溶性磷含氧酸化合物

(III)水溶性卤素化合物

(IV)55℃以上的温水。

2.根据权利要求1所述的导电性材料的制造方法，其中，

所述的设置于支撑体上的含有银的图案部位是将在支撑体上具有至 少1层卤化银乳剂层的银盐感光材料按图案样曝光后进行显影处理而形 成的。

3.根据权利要求2所述的导电性材料的制造方法，其中，

得到的导电性图案利用X射线衍射法测定的2θ＝38.2°的峰值的半幅 值为0.41以下。

4.根据权利要求1所述的导电性材料的制造方法，其中，

所述的设置于支撑体上的含有银的图案部位为在支撑体上赋予在水 及/或有机溶媒中作为金属胶体分散着的银超微粒而形成的。

5.根据权利要求4所述的导电性材料的制造方法，其中，

所述支撑体中在基材上具有由无机微粒和相对无机微粒为80质量％ 以下的粘合剂构成的多孔质层。

6.根据权利要求4所述的导电性材料的制造方法，其中，

使所述(I)～(IV)的任意一种作用于设置在支撑体上的含有银的 图案部位后，还供给水分。

7.根据权利要求1所述的导电性材料的制造方法，其中，

(I)还原性物质为选自聚羟基苯类、抗坏血酸及其衍生物、3-吡唑 烷酮类、氨基苯酚类、聚氨基苯类和羟胺类中的能够还原银的物质。

8.根据权利要求7所述的导电性材料的制造方法，其中，

(I)还原性物质为抗坏血酸。

9.根据权利要求7所述的导电性材料的制造方法，其中，

(I)还原性物质作为40℃以上且支撑体的Tg以下的水溶液而被使 用。

10.根据权利要求1所述的导电性材料的制造方法，其中，

(II)水溶性磷含氧酸化合物选自磷含氧酸、其盐类及其酯化合物中。

11.根据权利要求10所述的导电性材料的制造方法，其中，

(II)水溶性磷含氧酸化合物作为40℃以上且支撑体的Tg以下的水 溶液而被使用。

12.根据权利要求1所述的导电性材料的制造方法，其中，

(III)水溶性卤素化合物选自卤化氢、其无机或有机的盐类以及无机 或有机的高分子卤化物中。

13.根据权利要求12所述的导电性材料的制造方法，其中，

(III)水溶性卤素化合物为卤化氢的无机盐类。

14.根据权利要求12所述的导电性材料的制造方法，其中，

(III)水溶性卤素化合物作为30℃以上且支撑体的Tg以下的水溶液 而被使用。

15.根据权利要求1所述的导电性材料的制造方法，其中，

(IV)温水以65℃以上且支撑体的Tg以下的温度使用。