[发明专利]半透过型液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种抑制垂直串扰的半透过型液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置现在利用它们的优点，例如薄型、轻量、小型、低功耗等，而普遍安装在各种终端上。在液晶显示装置中，有源矩阵型装置在像素区域中的每一个中具有像素电极和薄膜晶体管(TFT)或连接到像素电极的有源元件，所述像素区域由布置成矩阵状的信号线和扫描线限定。当通过TFT向像素电极施加预定电压时驱动液晶显示元件。

在传统有源矩阵液晶显示装置中，信号线和邻近信号线的像素电极之间的间隙小，并且由于在信号线和像素电极之间出现的寄生电容而发生所谓的垂直串扰，从而导致图像质量退化的问题。

与此相比，专利文献1公开了一种电极结构，该电极结构降低了透过型液晶显示装置中的寄生电容。图13是专利文献1中描述的传统有源矩阵基板的部分截面。如图13所示，金属膜102形成在玻璃基板101上，并且形成绝缘膜103以覆盖金属膜102和玻璃基板101。源极线104或信号线经由绝缘膜103而形成在金属膜102上方，并且形成另一绝缘膜105以覆盖源极线104和绝缘膜103。彼此邻接的像素电极对106形成在绝缘膜105上。根据该传统技术，当从平面看时金属膜102和像素电极106的边缘部分重叠，而源极线104和像素电极106的宽度方向的边缘从平面看中不重叠。

在该结构中，出现在像素电极106和源极线104之间的寄生电容是像素电极106和金属膜102之间的电容以及金属膜102和源极线104之间的电容的串联。因此，可以减小影响像素电极106的寄生电容。结果，获得了改善对比度的效果。

专利文献1：日本专利申请特开平5-142570号公布。

发明内容

本发明要解决的问题

然而，上述传统技术具有以下问题。

专利文献1中公开的传统透过型液晶显示装置是有问题的，因为尽管它通过在源极线或信号线下面提供金属膜而成功地减小了源极线和像素电极之间的寄生电容，但它仍不能充分抑制垂直串扰。垂直串扰的强度可以基于(信号线和像素电极之间的寄生电容)/(液晶电容+存储电容)来估计。关于不能抑制垂直串扰有两个原因。一个原因是因为该装置被构造为透过型，所以它不适于在装置中提供大存储电容。这是由于太大的存储电容降低了孔径比。另一个原因是用于像素电极的边缘部分的充足遮光使得金属膜和像素电极大大重叠并且增加了寄生电容。

而且，根据专利文献1中公开的传统技术，金属膜形成在形成栅极线的相同层上，并且光通过间隙泄漏，所述间隙必定存在于金属膜和栅极线之间。当用在透过型装置中时，该结构需要在相对基板上形成黑色矩阵用于遮蔽泄漏光。该黑色矩阵需要具有一些余量以便被精确覆盖，这产生孔径比降低的问题。

鉴于上述问题而创造本发明，并且本发明的目的是提供一种半透过型液晶显示装置，该液晶显示装置抑制垂直串扰并且同时保持高孔径比。

用于解决所述问题的手段

根据本发明的半透过型液晶显示装置是这样一种半透过型液晶显示装置，其至少包括：设置成矩阵状的信号线和扫描线；形成在由信号线和扫描线限定的像素区域中的每一个中并且具有透明电极和反射电极的像素电极；和连接到每个像素电极的薄膜晶体管，并且该半透过型液晶显示装置包括：透明绝缘基板；形成在透明绝缘基板上的第一金属膜和扫描线；形成在透明基板上并覆盖第一金属膜和扫描线的第一绝缘膜；通过第一绝缘膜形成在第一金属膜上的信号线；形成在第一绝缘膜上并覆盖信号线的第二绝缘膜；形成在第二绝缘膜上的透明电极；和形成在第二绝缘膜上的第二金属膜，其中第一金属膜从平面看没有与透明电极重叠，而从平面看在其边缘处与第二金属膜重叠，并且其中信号线从平面看既没有与第二金属膜重叠也没有与透明电极重叠，而是从平面看在其至少一部分处与第一金属膜重叠。

第一金属膜可以是具有遮光性和电浮动的金属膜。第二金属膜可以是具有遮光性的金属膜。

优选地，信号线的宽度小于第一金属膜的宽度。第一金属膜可以沿信号线延伸。

优选地，从平面看信号线被第一金属膜覆盖。在第一金属膜从平面看与信号线重叠的部分中可以形成狭缝。

第一金属膜可以是连接到透明电极的反射电极。第二金属膜可以是沿透明电极的周边形成的反射电极的框部。

形成存储电容的存储电容电极可以形成在反射电极下的透明绝缘基板上。

优选地，(信号线和像素电极之间的寄生电容)/(液晶电容+存储电容)可以是0.05或更小。

本发明的效果