[发明专利]陶瓷材料、烧结陶瓷和由其制成的元件、制造方法和陶瓷的应用

权利要求书

1.陶瓷材料，由两相混合物xA+(1-x)B组成，

-其中A相基于Bi₃NbO₇的立方体至四面体变体，

-其中B相基于Bi₂(Zn_2/3Nb_4/3)O₇的单斜晶的烧绿石变体，

-其中两个相能够如此变化，使得Bi、Zn和Nb在整个材料中分 别直至30摩尔百分比的份额被其它金属代替，而Nb能够直至100％ 被Ta代替，其中A相在陶瓷材料中的相对摩尔份额x为0.10至0.80。

2.按权利要求1所述的陶瓷材料，在此材料中，Bi直至30摩尔 百分比的份额由下述元素中的一种或多种来代替，所述元素由以下选 出：Ca、Sr、Ba、Pb、Cd、Y、La和原子序数从58至71的稀土元素。

3.按权利要求1或2所述的陶瓷材料，在此材料中，Zn直至30 摩尔百分比的份额由下述元素中的一种或多种代替，所述元素由以下 选出：Mg、Ca、Co、Mn、Ni、Fe、Cr和Cu。

4.按权利要求1或2所述的陶瓷材料，在此材料中，Nb直至30 摩尔百分比的份额由下述元素中的一种或多种代替，所述元素由以下 选出：Sn、Ti、Hf、Sb、Ta、V、W和Mo。

5.按权利要求1或2所述的陶瓷材料，其在元素Zn-Nb-Bi的相图 中通过四个点A、B、C和D来确定，四个点为：

A：Zn＝4.0；Nb＝30.0；Bi＝66.0

B：Zn＝7.8；Nb＝25.0；Bi＝67.2

C：Zn＝16.0；Nb＝30.0；Bi＝54.0

D：Zn＝15.0；Nb＝35.0；Bi＝50.0。

6.由按权利要求1至5中之一所述陶瓷材料制成的烧结陶瓷，烧 结温度低于960℃。

7.按权利要求6所述的烧结陶瓷，介电常数为65-95。

8.按权利要求6或7所述的烧结陶瓷，在测量频率为1GHz时， 介电品质大于800。

9.按权利要求6或7所述的烧结陶瓷，在此陶瓷中，所述A和B 相在混合物中作为主要成分的纯相存在。

10.按权利要求6或7所述的烧结陶瓷，在此陶瓷中，纯相A和B 的区域直径小于等于10μm。

11.电气元件，包括有按权利要求6-10中之一所述的烧结陶瓷。

12.按权利要求11所述的电气元件，包括无源器件的电路布线， 该电路布线构造在多层结构中，在该多层结构中设有由所述陶瓷制成 的多个陶瓷层，这些陶瓷层交替地具有结构化的金属化平面，并且所 述多个陶瓷层烧结成单块的堆叠，在此堆叠中，结构化的金属化平面 通过触通通孔相互连接，并因此形成无源器件的电路布线。

13.按权利要求12所述的电气元件，构造成LC滤波器。

14.按权利要求11或12所述的电气元件，构造成用于电气元件的 基底。

15.按权利要求1至5中之一所述陶瓷材料的制造方法，在此方法 中，首先相互分开地制成纯相A和B；在此方法中，将纯相研磨成粉 末；在该方法中，将具有两个纯相的粉末以规定的比例进行混合。

16.按权利要求15所述的方法，在此方法中，将混合物加工成生 坯并进行烧结。

17.按权利要求15所述的方法，在此方法中，纯相分别按照混合 氧化物方法制成。

18.按权利要求15至17中之一所述的方法，在此方法中，在小于 960℃的温度时进行烧结。