[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其在直接测定从发光元件的芯片放出的光时的配光分布I(θ、ф)不依存于ф方向，具有由I(θ、ф)＝I(θ)表示的配光分布，

I(θ、ф)表示(θ、ф)方向的光强度分布，

θ表示来自发光元件的光引出面的法线方向的角度(0≤θ≤90°)，

ф表示法线的周围的旋转角(0≤ф≤360°)，

I(θ)在θ＝90°时表示接近于零的单递减函数，

关于包括构成发光元件芯片的基板、半导体结晶、保护膜的构成要素中相对于从发光层发出的光透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比即纵横比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，具备有着光散射功能的结构。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，具有I(θ)由I(θ)＝I₀cosⁿθ表示的配光分布，

I₀表示θ＝0°方向的光强度，

n表示正数。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，n在0.5以上2以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其中，从发光元件的芯片放出的直接光的配光分布I(θ、ф)的同一θ方向的ф方向360°的范围内的偏差的大小，相对于ф方向360°的范围的平均值I(θ)为20％以下。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，具有光散射功能的结构是微粒子配列于发光元件芯片表面或透明的结构体内部的面内的结构，或微粒子分散在半导体结晶中的结构。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，具有光散射功能的结构是被形成于芯片表面或者被形成于与芯片内部的光引出面平行而折射率不同的材料间界面的、具有相对于该芯片表面或该界面倾斜的侧面的多个凹凸结构。

7.根据权利要求5所述的发光元件，其中，微粒子的平均直径为10nm以上10000nm以下。

8.根据权利要求5或7所述的发光元件，其中，微粒子的主要成分为氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫属化合物中的任一种。

9.根据权利要求5或7所述的发光元件，其中，微粒子为氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛、二氧化铈、氧化镁、氧化锌、氧化锡和钇铝石榴石中的任一种。

10.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其中，构成发光元件的芯片的结构体中，关于相对于从发光层发出的光透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比即纵横比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，形成有吸收从发光层放出的光并发出不同波长的光的粒子状荧光体分散层。

11.一种发光元件，其中，关于包括构成发光元件芯片的基板、半导体结晶、保护膜的构成要素中相对于从发光层发出的光透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比即纵横比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，具备有着光散射功能的结构。

12.根据权利要求11所述的发光元件，其中，具有光散射功能的结构是微粒子配列于发光元件芯片表面或透明的结构体内部的面内的结构，或微粒子分散在半导体结晶中的结构。

13.根据权利要求11所述的发光元件，其中，具有光散射功能的结构是被形成于芯片表面或者被形成于与芯片内部的光引出面平行而折射率不同的材料间界面的、具有相对于该芯片表面或该界面倾斜的侧面的多个凹凸结构。

14.根据权利要求12所述的发光元件，其中，微粒子的平均直径为10nm以上10000nm以下。

15.根据权利要求12或14所述的发光元件，其中，微粒子的主成分为氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫属化合物中的任一种。

16.根据权利要求12或14所述的发光元件，其中，微粒子为氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛、二氧化铈、氧化镁、氧化锌、氧化锡和钇铝石榴石中的任意一种。

17.根据权利要求11所述的发光元件，其中，构成发光元件的芯片的结构体中，关于相对于从发光层发出的光透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比即纵横比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，形成有吸收从发光层放出的光并发出不同波长的光的粒子状荧光体分散层。