[发明专利]用于制造MEMS麦克风的方法有效

专利信息
申请号: 200780017312.1 申请日: 2007-03-20
公开(公告)号: CN101631739A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: R·I·拉明;M·贝格比;A·特雷纳 申请(专利权)人: 沃福森微电子股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 代理人: 杨 勇;郑建晖
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 mems 麦克风 方法
【权利要求书】:

1.一种在衬底上制备微机电系统麦克风的方法,所述方法包括:

在所述衬底上沉积第一牺牲层;

在所述第一牺牲层上沉积膜和第一电极,该膜机械耦合到所述第 一电极;

沉积第二牺牲层;

在所述第二牺牲层上沉积背板和第二电极,所述背板机械耦合到 所述第二电极;

以及

移除所述第一和第二牺牲层来形成微机电系统麦克风,所述麦克 风具有在所述膜和第一电极下的第一腔、以及在所述膜/第一电极和所 述背板/第二电极之间的第二腔,以便所述膜和所述第一电极能够相对 于所述背板和第二电极移动。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括形成第三腔的步骤, 所述第三腔与所述第一腔连接以形成背部体积。

3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括在至少一个结构层上 形成所述第一牺牲层的步骤,所述至少一个结构层位于所述膜和衬底 之间。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述形成第三腔的步骤包括 蚀刻所述衬底和所述至少一个结构层的步骤,并且其中所述第一牺牲 层用作所述第三腔的蚀刻停止层。

5.根据权利要求2或3所述的方法,其中形成所述第三腔,使在 所述第三腔与第一牺牲层接触的平面处的所述第三腔的区域小于所述 第一牺牲层的区域,以便在所述平面中的第三腔的区域基本上落在所 述第一牺牲层的周界内。

6.根据权利要求2-4中的任何一个所述的方法,其中使用干式蚀 刻工艺形成所述第三腔。

7.根据权利要求2-4中的任何一个所述的方法,其中使用湿式蚀 刻工艺形成所述第三腔。

8.根据权利要求2所述的方法,进一步包括通过所述第一牺牲层 和所述第二牺牲层之间的膜材料形成多个开口的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述形成多个开口的步骤包 括下列步骤:

在膜的材料中蚀刻多个孔;以及

在所述膜以及在所述膜的材料中蚀刻的孔上沉积所述第二牺牲 层,使所述第二牺牲层填充所述膜的材料中蚀刻的孔。

10.根据权利要求8所述的方法,其中所述开口位于所述第一牺牲 层的外部区域,所述第一牺牲层的外部区域位于由所述第三腔在所述 第三腔与所述第一牺牲层接触的平面处限定的区域之外。

11.根据权利要求8所述的方法,其中布置所述多个开口,使通过 第一开口蚀刻的区域基本上叠盖通过邻近开口蚀刻的区域。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述开口具有小于100微 米的间隔。

13.根据权利要求10所述的方法,其中所述开口形成在一个或多 个同心圆上,在所述第一牺牲层的外部区域中。

14.根据权利要求10所述的方法,其中移除所述第一和第二牺牲 层的步骤包括:

移除所述第一牺牲层的内部区域;

移除所述第二牺牲层;以及

移除所述第一牺牲层的外部区域。

15.根据权利要求14所述的方法,其中分开执行移除所述第二牺 牲层的步骤以及移除所述第一牺牲层的外部区域的步骤。

16.根据权利要求14所述的方法,包括:

通过在第一方向上蚀刻来移除所述第一牺牲层的内部区域,所述 第一方向是从所述衬底侧到所述第一牺牲层;以及

通过在第二方向上蚀刻来移除所述第二牺牲层和所述第一牺牲层 的外部区域,所述第二方向是从所述背板侧到所述第二牺牲层。

17.根据权利要求1-4中的任何一个所述的方法,其中移除所述第 一和第二牺牲层的步骤包括下列步骤:

移除所述第一牺牲层;以及

随后移除所述第二牺牲层。

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