[发明专利]非易失性存储器纠错系统和方法无效
| 申请号: | 200780017182.1 | 申请日: | 2007-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN101473308A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
| 发明(设计)人: | D·C·巴克尔;R·森德尔斯 | 申请(专利权)人: | 矽玛特公司 |
| 主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G06F12/16 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 屠长存 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非易失性存储器 纠错 系统 方法 | ||
1、一种非易失性存储器,包括:
第一载荷数据区;
与第一载荷数据区相关联的第一冗余存储区,所述第一冗余存储区包括:
第一部分,所述第一部分包括与第一载荷数据区相关联的第一载荷纠错码(ECC)数据;
第二部分,所述第二部分包括与第一载荷数据区相关联的第一元数据;以及
第三部分,所述第三部分包括与第一元数据相关联的第一元数据ECC数据。
2、如权利要求1所述的非易失性存储器,进一步包括:
第二载荷数据区;并且
其中,第一元数据与第一载荷数据区以及第二载荷数据区相关联。
3、如权利要求2所述的非易失性存储器,其中第一冗余存储区包括与第二载荷数据区相关联的第二载荷纠错码(ECC)数据。
4、如权利要求1所述的非易失性存储器,其中第一载荷纠错码(ECC)数据包括奇偶校验数据和校正子数据。
5、如权利要求1所述的非易失性存储器,其中第一载荷数据区包括512字节的存储空间。
6、如权利要求1所述的非易失性存储器,其中第一元数据包括循环冗余校验(CRC)数据。
7、如权利要求1所述的非易失性存储器,其中第一元数据包括块状态数据。
8、如权利要求1所述的非易失性存储器,其中第一元数据包括与第一载荷数据区相关联的逻辑地址数据。
9、如权利要求1所述的非易失性存储器,进一步包括:
第二载荷区;
与第二载荷数据区相关联的第二冗余存储区,第二冗余存储区包括:
第一部分,所述第一部分具有与第二载荷区相关联的第二载荷纠错码(ECC)数据;
第二部分,所述第二部分具有与第二载荷区相关联的第二元数据;以及,
第三部分,所述第三部分包括与第二元数据相关联的第二元数据ECC数据。
10、一种系统,包括:
非易失性存储器,所述非易失性存储器包括与载荷数据区相关联的载荷纠错码(ECC)数据,以及与载荷数据区相关联的元数据ECC数据;
纠错模块,包括响应于接收到元数据ECC数据而执行纠错的逻辑。
11、如权利要求10所述的系统,其中元数据ECC数据包括错误校正子,并且其中所述纠错模块包括用于生成错误校正子的校正子生成模块。
12、如权利要求10所述的系统,其中所述纠错模块包括关键生成模块,用于基于错误校正子来生成纠错信息,以纠正从非易失性存储器存取的元数据中的错误。
13、如权利要求12所述的系统,其中所述纠错信息包括错误索引和错误掩码。
14、如权利要求10所述的系统,其中所述非易失性存储器包括载荷ECC数据和元数据ECC数据,每个都与第二载荷数据区相关联。
15、如权利要求12所述的系统,其中所述纠错模块对元数据执行Reed-Solomon纠错。
16、一种方法,包括:
生成与数据载荷相关的数据保护码;
生成与该数据保护码相关的元数据保护码;以及
将所述数据载荷存储在非易失性存储器的载荷数据区中,并将所述数据保护码和所述元数据保护码存储在非易失性存储器的冗余数据区中。
17、如权利要求16所述的方法,其中所述数据保护码包括错误检测数据和错误纠正数据。
18、如权利要求17所述的方法,其中所述错误检测数据包括奇偶校验数据。
19、如权利要求16所述的方法,其中所述数据保护码包括循环冗余校验(CRC)数据和纠错码(ECC)数据。
20、如权利要求16所述的方法,其中所述元数据保护码包括与所述数据保护码相关的纠错码(ECC)数据。
21、如权利要求16所述的方法,其中所述生成数据保护码包括为数据载荷计算至少一个奇偶校验数据和纠错码(ECC)数据。
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