[发明专利]半导体陶瓷组分及其生产方法

权利要求书

1.一种用于制造其中BaTiO₃中的部分Ba用Bi-Na代替的半导体陶瓷组分的方法，该方法包括，制备BaTiO₃的煅烧粉末的步骤、制备(BiNa)TiO₃的煅烧粉末的步骤、混合BaTiO₃的煅烧粉末和(BiNa)TiO₃的煅烧粉末的步骤、以及成形并烧结所述混合的煅烧粉末的步骤。

2.如权利要求1所要求的用于制造半导体陶瓷组分的方法，其中在具有1％或更低氧浓度的惰性气体气氛中进行所述烧结步骤。

3.如权利要求1所要求的用于制造半导体陶瓷组分的方法，其中制备BaTiO₃的煅烧粉末的步骤中的煅烧温度是700至1,200℃。

4.如权利要求1所要求的用于制造半导体陶瓷组分的方法，其中制备(BiNa)TiO₃的煅烧粉末的步骤中的煅烧温度是700至950℃。

5.如权利要求1所要求的用于制造半导体陶瓷组分的方法，其中在制备BaTiO₃的煅烧粉末的步骤中、在制备(BiNa)TiO₃的煅烧粉末的步骤中、或在上述两个步骤中，在煅烧之前，添加3.0mol％或更低的硅氧化物和4.0mol％或更低的碳酸钙或钙氧化物。

6.如权利要求1所要求的用于制造半导体陶瓷组分的方法，其中在混合BaTiO₃的煅烧粉末和(BiNa)TiO₃的煅烧粉末的步骤中，添加3.0mol％或更低的硅氧化物和4.0mol％或更低的碳酸钙或钙氧化物。

7.如权利要求1所要求的用于制造半导体陶瓷组分的方法，其中该半导体陶瓷组分由以下组分公式表示：[(BiNa)_xBa_1-x]TiO₃，其中x满足0<x≤0.3。

8.一种通过形成BaTiO₃的煅烧粉末和(BiNa)TiO₃的煅烧粉末的混合煅烧粉末，接着在具有1％的氧浓度的气氛中烧结该混合煅烧粉末而获得的半导体陶瓷组分，其中该组分由以下组分公式表示：[(BiNa)_xBa_1-x]TiO₃，其中x满足0<x≤0.3。

9.如权利要求8所要求的半导体陶瓷组分，其中添加3.0mol％或更低的硅氧化物和4.0mol％或更低的碳酸钙或钙氧化物。